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2SK1611 Manufaturado perto: |
V (DSS): 800V; silício N-canal powe F-MOS FET. Para comutação de alta velocidade, para amplificação de potência de alta freqüência | Pdf da folha de dados do download 2SK1611 datasheet do Panasonic |
pdf 42 kb |
2SK1610 | Vista 2SK1611 a nosso catálogo | 2SK1612 |