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Nr.	Nome da parte	Descrição	Fabricante
1	2SA1235A	200mW SMD PNP transistor, classificação máxima: -50V VCEO, -200mA Ic, 150-500 hFE. Melhorar 2SA1235	Isahaya Electronics Corporation
2	2SA1282	PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
3	2SA1282	PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
4	2SA1282A	PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
5	2SA1282A	PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
6	2SA1283	SILICONE PNP 2SA1283	Isahaya Electronics Corporation
7	2SA1283	SILICONE PNP 2SA1283	Isahaya Electronics Corporation
8	2SA1284	900mW Chumbo transistor PNP quadro, classificação máxima: -100V VCEO, -500mA Ic, 55-300 hFE. 2SC3244 Complementar	Isahaya Electronics Corporation
9	2SA1285	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DE PRE-DRIVE	Isahaya Electronics Corporation
10	2SA1285	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DE PRE-DRIVE	Isahaya Electronics Corporation
11	2SA1285A	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DE PRE-DRIVE	Isahaya Electronics Corporation
12	2SA1285A	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DE PRE-DRIVE	Isahaya Electronics Corporation
13	2SA1286	TIPO PEQUENO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO ATUADOR	Isahaya Electronics Corporation
14	2SA1286	TIPO PEQUENO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO ATUADOR	Isahaya Electronics Corporation
15	2SA1287	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ	Isahaya Electronics Corporation
16	2SA1287	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ	Isahaya Electronics Corporation
17	2SA1363	500mW SMD PNP transistor, classificação máxima: -16V VCEO, -2a Ic, 150-800 hFE. 2SC3443 Complementar	Isahaya Electronics Corporation
18	2SA1364	TRANSISTOR DO SILICONE PNP	Isahaya Electronics Corporation
19	2SA1364	TRANSISTOR DO SILICONE PNP	Isahaya Electronics Corporation
20	2SA1365	PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE PNP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
21	2SA1365	PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE PNP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
22	2SA1366	150mW SMD PNP transistor, classificação máxima: -50V VCEO, -400mA Ic, 90-500 hFE. 2SC3441 Complementar	Isahaya Electronics Corporation
23	2SA1368	2SA1368	Isahaya Electronics Corporation
24	2SA1368	2SA1368	Isahaya Electronics Corporation
25	2SA1369	PARA O TIPO PEQUENO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO ATUADOR	Isahaya Electronics Corporation
26	2SA1369	PARA O TIPO PEQUENO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO ATUADOR	Isahaya Electronics Corporation

27	2SA1398	900mW Chumbo transistor PNP quadro, classificação máxima: -20V VCEO, -700mA Ic, 150-800 hFE. 2SC3580 Complementar	Isahaya Electronics Corporation
28	2SA1399	TRANSISTOR DO SILICONE PNP	Isahaya Electronics Corporation
29	2SA1399	TRANSISTOR DO SILICONE PNP	Isahaya Electronics Corporation
30	2SA1530A	PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
31	2SA1530A	PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
32	2SA1602	PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE PNP DA APLICAÇÃO (TIPO MINI SUPER)	Isahaya Electronics Corporation
33	2SA1602	PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DOSILICONE PNP DA APLICAÇÃO (TIPO MINI SUPER)	Isahaya Electronics Corporation
34	2SA1928	O SILICONE PNP DUAL TRANSISTOR	Isahaya Electronics Corporation
35	2SA1928	O SILICONE PNP DUAL TRANSISTOR	Isahaya Electronics Corporation
36	2SA1944	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ	Isahaya Electronics Corporation
37	2SA1944	PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ	Isahaya Electronics Corporation
38	2SA1945	PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL GERAL DO SILICONEPNP DA APLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DA FINALIDADE	Isahaya Electronics Corporation
39	2SA1945	PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL GERAL DO SILICONEPNP DA APLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DA FINALIDADE	Isahaya Electronics Corporation
40	2SA1946	500mW SMD PNP transistor, classificação máxima: -20V VCEO, -700mA Ic, 150-800 hFE. 2SC5212 Complementar	Isahaya Electronics Corporation
41	2SA1947	PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
42	2SA1947	PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO	Isahaya Electronics Corporation
43	2SA1948	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
44	2SA1948	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
45	2SA1989	Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial Uitra Nini Super Do Silicone PNP Da Aplicação	Isahaya Electronics Corporation
46	2SA1989	Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial Uitra Nini Super Do Silicone PNP Da Aplicação	Isahaya Electronics Corporation
47	2SA1993	PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO MICRO	Isahaya Electronics Corporation
48	2SA1993	PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO MICRO	Isahaya Electronics Corporation
49	2SA1995	450mW Chumbo transistor PNP quadro, classificação máxima: -50V VCEO, -100mA Ic, 120-560 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
50	2SA1998	600mW Chumbo transistor PNP quadro, classificação máxima: -20V VCEO, -2a Ic, 150-500 hFE.	Isahaya Electronics Corporation

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