 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| 2SA1032 изготавливается путем: | 
|
 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) Другие с той же файл данные: 2SA1031, |
скачать 2SA1032 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 36 kb |
| Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | скачать 2SA1032 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 36 kb |
 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | скачать 2SA1032 лист данных ( datasheet ) от Renesas |
pdf 49 kb |
| 2SA1031 | Посмотреть 2SA1032 в наш каталог | 2SA1034 |