|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SA1082 изготавливается путем: |
ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) Другие с той же файл данные: 2SA1081, 2SA1025, |
скачать 2SA1082 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 29 kb |
|
Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | скачать 2SA1082 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 29 kb |
2SA1081 | Посмотреть 2SA1082 в наш каталог | 2SA1083 |