|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SC3329 изготавливается путем: |
Тип кремния NPN транзистора эпитаксиальный (процесс pct) для применений усилителя низкого шума тональнозвуковых и порекомендовано для первых этапов усилителей MC головных | скачать 2SC3329 лист данных ( datasheet ) от TOSHIBA |
pdf 152 kb |
2SC3328 | Посмотреть 2SC3329 в наш каталог | 2SC3330 |