|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SJ353-T изготавливается путем: |
транзистор влияния поля кремния МОС-tipa П-kanala (-60 | скачать 2SJ353-T лист данных ( datasheet ) от NEC |
pdf 64 kb |
2SJ353 | Посмотреть 2SJ353-T в наш каталог | 2SJ355 |