|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SK367 изготавливается путем: |
Тип соединения канала н кремния транзистора влияния поля для тональнозвукового, высоковольтного усилителя и постоянн в настоящее время применений | скачать 2SK367 лист данных ( datasheet ) от TOSHIBA |
pdf 179 kb |
2SK3669 | Посмотреть 2SK367 в наш каталог | 2SK3670 |