 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRF640S изготавливается путем: | 
|
 | Н - КАНАЛ 200V - 0.150Ohm - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-263 | скачать IRF640S лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 89 kb |
 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak Другие с той же файл данные: IRF640STRR, IRF640STR, IRF640STRL, IRF640L, IRF640LPBF, |
скачать IRF640S лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 241 kb |
 | транзистор TrenchMOS Н-kanala | скачать IRF640S лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 100 kb |
 | N-CHANNEL 200V - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 0.150 ОМОВ -18ЈA TO-263 | скачать IRF640S лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 291 kb |
| IRF640PBF | Посмотреть IRF640S в наш каталог | IRF640SPBF |