 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| MJE200 изготавливается путем: | 
|
 | 40 V, 5, NPN кремния эпитаксиальный транзистор Другие с той же файл данные: MJE172, MJE180, MJE181, MJE182, |
скачать MJE200 лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 199 kb |
 | КРЕМНИЙ 5 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ
25 ВОЛЬТОВ 15 ВАТТ Другие с той же файл данные: MJE210, |
скачать MJE200 лист данных ( datasheet ) от Motorola |
pdf 262 kb |
 | Сила 5ЈA 25V NPN Другие с той же файл данные: MJE210T, |
скачать MJE200 лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
pdf 130 kb |
 | Освинцованное General purpose Транзистора Силы | скачать MJE200 лист данных ( datasheet ) от Central Semiconductor |
pdf 63 kb |
 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный Транзистор | скачать MJE200 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 47 kb |
| MJE18604D2 | Посмотреть MJE200 в наш каталог | MJE200-D |