|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
STGB18N40LZT4 изготавливается путем: |
EAS 180 мДж - 390 V - внутренне зажат IGBT Другие с той же файл данные: STGB18N40LZ, STGB18N40LZ-1, |
скачать STGB18N40LZT4 лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 878 kb |
STGB18N40LZ-1 | Посмотреть STGB18N40LZT4 в наш каталог | STGB19NC60H |