|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 284 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
12SA1235A200mW SMD PNP транзистор, максимальная оценка: -50 В VCEO, -200mA Ic, от 150 до 500 HFE. Улучшение на 2SA1235Isahaya Electronics Corporation
22SA1282ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
32SA1282ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
42SA1282AДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
52SA1282AДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
62SA1283КРЕМНИЙ PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
72SA1283КРЕМНИЙ PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
82SA1284900 МВт Ведущий кадров PNP транзистор, максимальная оценка: -100V VCEO, -500mA Ic, от 55 до 300 HFE. Дополнительные 2SC3244Isahaya Electronics Corporation
92SA1285ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ PRE-DRIVE ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
102SA1285ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ PRE-DRIVE ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
112SA1285AДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ PRE-DRIVE ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
122SA1285AДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ PRE-DRIVE ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
132SA1286МАЛЫЙ МОТОР ТИПА, ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ПЛУНЖЕРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
142SA1286МАЛЫЙ МОТОР ТИПА, ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ПЛУНЖЕРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
152SA1287ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
162SA1287ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
172SA1363500 мВт SMD PNP транзистор, максимальная оценка: -16V VCEO, -2a Ic, от 150 до 800 HFE. Дополнительные 2SC3443Isahaya Electronics Corporation
182SA1364ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNPIsahaya Electronics Corporation
192SA1364ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNPIsahaya Electronics Corporation
202SA1365ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
212SA1365ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
222SA1366150mW SMD PNP транзистор, максимальная оценка: -50 В VCEO, -400mA Ic, от 90 до 500 HFE. Дополнительные 2SC3441Isahaya Electronics Corporation
232SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
242SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
252SA1369ДЛЯ МАЛОГО МОТОРА ТИПА, ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ПЛУНЖЕРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
262SA1369ДЛЯ МАЛОГО МОТОРА ТИПА, ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ПЛУНЖЕРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation



272SA1398900 МВт Ведущий кадров PNP транзистор, максимальная оценка: -20 В VCEO, -700mA Ic, от 150 до 800 HFE. Дополнительные 2SC3580Isahaya Electronics Corporation
282SA1399ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNPIsahaya Electronics Corporation
292SA1399ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNPIsahaya Electronics Corporation
302SA1530AДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
312SA1530AДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
322SA1602ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (СУПЕР МИНИЫЙ ТИП)Isahaya Electronics Corporation
332SA1602ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (СУПЕР МИНИЫЙ ТИП)Isahaya Electronics Corporation
342SA1928КРЕМНИЙ PNP УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОРIsahaya Electronics Corporation
352SA1928КРЕМНИЙ PNP УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОРIsahaya Electronics Corporation
362SA1944ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
372SA1944ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
382SA1945ДЛЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
392SA1945ДЛЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
402SA1946500 мВт SMD PNP транзистор, максимальная оценка: -20 В VCEO, -700mA Ic, от 150 до 800 HFE. Дополнительные 2SC5212Isahaya Electronics Corporation
412SA1947ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
422SA1947ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
432SA1948ТРАНЗИСТОР SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
442SA1948ТРАНЗИСТОР SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
452SA1989Для Низкой частотности Усильте Тип Uitra Супер Nini Кремния PNP Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
462SA1989Для Низкой частотности Усильте Тип Uitra Супер Nini Кремния PNP Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
472SA1993ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО-Isahaya Electronics Corporation
482SA1993ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО-Isahaya Electronics Corporation
492SA1995450 МВт Ведущий кадров PNP транзистор, максимальная оценка: -50 В VCEO, -100mA Ic, от 120 до 560 HFE.Isahaya Electronics Corporation
502SA1998600 мВт Ведущий кадров PNP транзистор, максимальная оценка: -20 В VCEO, -2a Ic, от 150 до 500 HFE.Isahaya Electronics Corporation

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/isahayaelectronicscorporation/1/