| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1 | -7L | 536870912-BIT (8388608 - WORD
64-BIT)SYNCHRONOUSDRAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 2 | -8 | 536870912-BIT (8388608 - WORD
64-BIT)SYNCHRONOUSDRAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 3 | -8L | 536870912-BIT (8388608 - WORD
64-BIT)SYNCHRONOUSDRAM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 4 | 0-1462000-1 | 2 релеий полюса telecom/signal через тип
отверстия (THT) Non-polarized. нон-zapira4 на задвижку
1 катушку | Tyco Electronics |
| 5 | 0-1462000-7 | 2 релеий полюса telecom/signal через тип
отверстия (THT) Non-polarized. нон-zapira4 на задвижку
1 катушку | Tyco Electronics |
| 6 | 0002 | HIGH SPEED, УСИЛИТЕЛЬ АМПЕР БУФЕРА | M.S. Kennedy Corp. |
| 7 | 0032 | HIGH SPEED, ДИФФЕРЕНЦИАЛ OP-AMP ВХОДНОГО
СИГНАЛА FET | M.S. Kennedy Corp. |
| 8 | 0033 | INPUT FET ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ
НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА FOLLOWER/BUFFER | M.S. Kennedy Corp. |
| 9 | 01-XC6206 | XC6206 | Torex Semiconductor |
| 10 | 0100MS | Магнитные Случаи Экрана | Texas Instruments |
| 11 | 0104-100 | 100 Вт, 28 В, 100-400 МГц, сбалансированный транзистор | Acrian |
| 12 | 0104-100 | 100 Вт, 28 В, 100-400 МГц общим эмиттером транзистора | GHz Technology |
| 13 | 0104-100-2 | 100 Вт, 28 В, 100-400 МГц, сбалансированный транзистор | Acrian |
| 14 | 0105-100 | 100 Вт, 28 В, 100-500 МГц, UHF сбалансированный транзистор | Acrian |
| 15 | 0105-100 | 100 Вт, 28 В, 100-500 МГц общим эмиттером транзистора | GHz Technology |
| 16 | 0105-100-2 | 100 Вт, 28 В, 100-500 МГц, UHF сбалансированный транзистор | Acrian |
| 17 | 0105-100-3 | 100 Вт, 28 В, 100-500 МГц, UHF сбалансированный транзистор | Acrian |
| 18 | 0105-12 | 12 Вт, 28 В, 100-500 МГц, UHF сбалансированы транзистор | Acrian |
| 19 | 0105-12 | 12 Вт, 28 В, 100-500 МГц общим эмиттером транзистора | GHz Technology |
| 20 | 0105-12-2 | 12 Вт, 28 В, 100-500 МГц, UHF сбалансированы транзистор | Acrian |
| 21 | 0105-50 | 50 Вт, 28 В, 100-500 МГц, UHF сбалансированы транзистор | Acrian |
| 22 | 0105-50 | 50 Вт, 28 В, 100-500 МГц общим эмиттером транзистора | GHz Technology |
| 23 | 0105-50-2 | 50 Вт, 28 В, 100-500 МГц, UHF сбалансированы транзистор | Acrian |
| 24 | 015A2.0 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 25 | 015A2.2 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 26 | 015A2.4 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 27 | 015A2.7 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 28 | 015A3.0 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 29 | 015A3.3 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 30 | 015A3.6 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 31 | 015A3.9 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 32 | 015A4.3 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 33 | 015A4.7 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 34 | 015A5.1 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 35 | 015A5.6 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 36 | 015A6.2 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 37 | 015A6.8 | Тип Кремния Диода Эпитаксиальный Плоскостной | TOSHIBA |
| 38 | 015AZ10 | Применения Регулировки Напряжения тока Эпитаксиального
Плоскостного Типа Кремния Диода Постоянн | TOSHIBA |
| 39 | 015AZ10-X | Кремниевый диод для применения регулирования постоянного напряжения | TOSHIBA |
| 40 | 015AZ10-Y | Кремниевый диод для применения регулирования постоянного напряжения | TOSHIBA |
| | | |
