| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1143801 | SSM5G01TU | Тип mos канала п кремния (конвертер диода
DC-DC U-MOSII)/Silicon эпитаксиальный schottky
плоскостной для DSCs и камкордеров | TOSHIBA |
| 1143802 | SSM5G02TU | Multi-чип дискретные (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143803 | SSM5G04TU | Multi-чип дискретные (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143804 | SSM5G06FE | Multi-чип дискретные (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143805 | SSM5G09TU | Multi-чип дискретные (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143806 | SSM5G10TU | Multi-чип дискретные (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143807 | SSM5G11TU | Multi-чип дискретные (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143808 | SSM5H01TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143809 | SSM5H05TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143810 | SSM5H06FE | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143811 | SSM5H07TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143812 | SSM5H08TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143813 | SSM5H10TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143814 | SSM5H11TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143815 | SSM5H12TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143816 | SSM5H14F | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143817 | SSM5H16TU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143818 | SSM5H90ATU | Multi-чип дискретный устройство (N-канальный + переключение диода) | TOSHIBA |
| 1143819 | SSM5H90TU | Multi-чип дискретный устройство (N-канальный + переключение диода) | TOSHIBA |
| 1143820 | SSM5N05FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 1143821 | SSM5N15FE | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 1143822 | SSM5N15FU | Малый-сигнал MOSFET 2 в 1 | TOSHIBA |
| 1143823 | SSM5N16FE | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключения Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 1143824 | SSM5N16FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключения Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 1143825 | SSM5P05FU | Применения Переключения Переключателя Управления Силы
Типа Mos Канала П Кремния Транзистора Влияния Поля
Высокоскоростные | TOSHIBA |
| 1143826 | SSM5P15FE | Малый-сигнал MOSFET 2 в 1 | TOSHIBA |
| 1143827 | SSM5P15FU | Малый-сигнал MOSFET 2 в 1 | TOSHIBA |
| 1143828 | SSM5P16FE | Малый-сигнал MOSFET 2 в 1 | TOSHIBA |
| 1143829 | SSM6E01TU | Тип Mos П-Kanala Кремния Приспособления
Мулти-Oblomoka (U-MOS II) + Применения Переключателя
Нагрузки Типа Mos Н-Kanala (Planer) | TOSHIBA |
| 1143830 | SSM6E03TU | Multi-чип дискретный устройство (P-канальный + N-канальный) | TOSHIBA |
| 1143831 | SSM6G18NU | Multi-чип дискретные (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143832 | SSM6H19NU | Multi-чип дискретные (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143833 | SSM6J06FU | Применения Переключения Переключателя Управления Силы
Типа Mos Канала П Кремния Транзистора Влияния Поля
Высокоскоростные | TOSHIBA |
| 1143834 | SSM6J07FU | Применения Переключения Переключателя Управления Силы
Типа Mos Канала П Кремния Транзистора Высокоскоростные | TOSHIBA |
| 1143835 | SSM6J08FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 1143836 | SSM6J205FE | Малый-сигнал MOSFET | TOSHIBA |
| 1143837 | SSM6J206FE | Малый-сигнал MOSFET | TOSHIBA |
| 1143838 | SSM6J207FE | Малый-сигнал MOSFET | TOSHIBA |
| 1143839 | SSM6J212FE | Малый-сигнал MOSFET | TOSHIBA |
| 1143840 | SSM6J213FE | Малый-сигнал MOSFET | TOSHIBA |
| | | |
