| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1165881 | STGW30NC60W | 30 - 600 V - сверхбыстрая IGBT | ST Microelectronics |
| 1165882 | STGW30NC60WD | Ультра быстрый "W" серия | ST Microelectronics |
| 1165883 | STGW30V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 1165884 | STGW30V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 1165885 | STGW35HF60W | 35, 600 V Ultrafast IGBT | ST Microelectronics |
| 1165886 | STGW35HF60WD | 35, 600 V сверхбыстрый IGBT с сверхбыстрого диода | ST Microelectronics |
| 1165887 | STGW35HF60WDI | 35, 600 V сверхбыстрый IGBT с низким диодом капли | ST Microelectronics |
| 1165888 | STGW35NB60SD | Серия Low Drop "S" | ST Microelectronics |
| 1165889 | STGW35NC120HD | 35 - 1200 V - очень быстро IGBT | ST Microelectronics |
| 1165890 | STGW38IH130D | 33 - 1300 В - очень быстро IGBT | ST Microelectronics |
| 1165891 | STGW39NC60VD | 40, 600 V, очень быстро IGBT | ST Microelectronics |
| 1165892 | STGW40H120DF2 | Тренч ворот поля остановка IGBT серии H 1200 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165893 | STGW40H120F2 | Тренч ворот поля остановка IGBT серии H 1200 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165894 | STGW40H60DLFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165895 | STGW40H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165896 | STGW40H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165897 | STGW40M120DF3 | Тренч ворот поля остановка IGBT, серия M 1200 V, 40 с низкими потерями | ST Microelectronics |
| 1165898 | STGW40N120KD | 40, 1200 В короткое замыкание прочный IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 1165899 | STGW40NC60KD | 40 - 600 V - короткое замыкание прочный IGBT | ST Microelectronics |
| 1165900 | STGW40NC60V | N-CHANNEL 40A - 600V TO-247
POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165901 | STGW40V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 1165902 | STGW40V60DLF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 1165903 | STGW40V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 1165904 | STGW45HF60WD | 45, 600 V сверхбыстрый IGBT с сверхбыстрого диода | ST Microelectronics |
| 1165905 | STGW45HF60WDI | 45, 600 V сверхбыстрый IGBT с низким диодом капли | ST Microelectronics |
| 1165906 | STGW45NC60VD | 45, 600 V, очень быстро IGBT | ST Microelectronics |
| 1165907 | STGW45NC60WD | Ультра быстрый "W" серия | ST Microelectronics |
| 1165908 | STGW50H60DF | 50, 600 V поле остановка траншеи ворота IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 1165909 | STGW50HF60S | 60, 600 V, очень низкий IGBT падение | ST Microelectronics |
| 1165910 | STGW50HF60SD | 60, 600 V, очень низкое падение IGBT с мягкой и быстрой диодом | ST Microelectronics |
| 1165911 | STGW50HF65SD | 60, 650 V, очень низкое падение IGBT с мягкой и быстрой диодом | ST Microelectronics |
| 1165912 | STGW50NB60H | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247
POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165913 | STGW50NB60H | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247
PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165914 | STGW50NB60M | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247
POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165915 | STGW50NC60W | Ультра быстрый "W" серия | ST Microelectronics |
| 1165916 | STGW60H60DLFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165917 | STGW60H65DF | 60, 650 V поле остановка траншеи ворота IGBT с очень быстрым диодом | ST Microelectronics |
| 1165918 | STGW60H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165919 | STGW60H65DRF | 60, 650 V поле остановка траншеи ворота IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 1165920 | STGW60H65F | 60, 650 V поле остановка траншеи ворота IGBT | ST Microelectronics |
| | | |
