|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29394 | 29395 | 29396 | 29397 | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1175921STP21N06LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175922STP21N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175923STP21N06LFIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175924STP21N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175925STP21N65M5N-канальный 650 В, 0,150 Ом, 17 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220ST Microelectronics
1175926STP21N90K5N-канальный 900 В, 0,25 Ом, 18,5 В-220 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFETST Microelectronics
1175927STP21NM60NDN-канальный 600 В, 0,17 Ом тип., 17, FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (ничуть быстро диод) в TO-220 пакетST Microelectronics
1175928STP22NE03Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙST Microelectronics
1175929STP22NE03Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙST Microelectronics
1175930STP22NE03LMOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙST Microelectronics
1175931STP22NE03LН - РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА "Mosfet СИЛЫ ОДИНОЧНОГО"SGS Thomson Microelectronics
1175932STP22NE10LN-CHANNEL 55V - 0.07 ОМА - MOSFET СИЛЫ 22ЈA STRIPFETST Microelectronics
1175933STP22NE10LН - КАНАЛ 100V - 0.07 Ома - Mosfet СИЛЫ 22ЈA TO-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1175934STP22NF03LMOSFET СИЛЫ ОМА 22ЈA TO-220 STRIPFET N-CHANNEL 30V 0.038ST Microelectronics
1175935STP22NF03LMOSFET СИЛЫ ОМА 22ЈA TO-220 STRIPFET N-CHANNEL 30V 0.038SGS Thomson Microelectronics
1175936STP22NM50N-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20 Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESHST Microelectronics
1175937STP22NM50FPN-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20 Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESHST Microelectronics
1175938STP22NM60N-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22 Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESHST Microelectronics
1175939STP22NM60FPN-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22 Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESHST Microelectronics
1175940STP22NM60NN-канальный 600 В, 0,2 Ом, 16 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220ST Microelectronics
1175941STP22NS25ZОМ 22ЈA TO-220 N-CHANNEL 250V 0.13/$$ET-MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK ZENER-PROTECTEDST Microelectronics
1175942STP23NM50NN-канальный 500 В, 0,162 Ом, 17, К-220 MDmesh (TM) II на MOSFETST Microelectronics
1175943STP23NM60NDN-канальный 600 В, 0,150 Ом, 19,5, FDmesh II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) TO-220ST Microelectronics
1175944STP240N10F7N-канальный 100 В, 2,5 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175945STP24DP0524-битный постоянного тока светодиодный драйвер раковина с обнаружением выход ошибкиST Microelectronics
1175946STP24DP05BTR24-битный постоянного тока светодиодный драйвер раковина с обнаружением выход ошибкиST Microelectronics
1175947STP24N60DM2N-канальный 600 В, 0,175 Ом тип., 18 FDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175948STP24N60M2N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175949STP24NF10N-CHANNEL 100V - 0.055 ОМА - 26ЈA TO-220/$$ET-MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА D2PAK НИЗКИЙST Microelectronics
1175950STP24NF10Н - КАНАЛ 100V - 0.07Ohm - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 24ЈA TO-220 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1175951STP24NM60NN-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET TO-220ST Microelectronics
1175952STP25N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175953STP25N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175954STP25N06FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1175955STP25N06FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1175956STP25N10F7N-канальный 100 В, 0,027 Ом тип., 25, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1175957STP25N80K5N-канальный 800 В, 0,19 Ом тип., 19,5 SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 пакетST Microelectronics
1175958STP25NM50NN-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ома - 21.5 Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ А TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГОST Microelectronics
1175959STP25NM60NMosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГОST Microelectronics
1175960STP25NM60NDN-канальный 600 В, 0,13 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакетаST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29394 | 29395 | 29396 | 29397 | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com