|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29397 | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | 29405 | 29406 | 29407 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1176041STP30NM30NN-канальный 300V - 0.078Ohm - 30A - К-220ST Microelectronics
1176042STP30NS15LN-CHANNEL 150V - 0.085 ОМА - MOSFET СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 10A TO-220FPST Microelectronics
1176043STP30NS15LFPN-CHANNEL 150V - 0.085 ОМА - MOSFET СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 10A TO-220FPST Microelectronics
1176044STP310N10F7N-канальный 100 В, 2,3 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176045STP315N10F7Автомобильная класса N-канальный 100 В, 2,3 мОм ном., 180 STripFET F7 питания MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176046STP31N65M5N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176047STP32N05LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176048STP32N05LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176049STP32N05LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176050STP32N05LFIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176051STP32N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАST Microelectronics
1176052STP32N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАST Microelectronics
1176053STP32N06LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176054STP32N06LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176055STP32N06LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176056STP32N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176057STP32N06LFIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176058STP32N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176059STP32N65M5N-канальный 650 В, 0,095 Ом, 24, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220ST Microelectronics
1176060STP32NM50NN-канальный 500 В, 0,1 Ом тип., 22 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакетST Microelectronics
1176061STP33N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176062STP33N10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176063STP33N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176064STP33N10FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176065STP33N10FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176066STP33N10FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176067STP33N60M2N-канальный 600 В, 0,108 Ом тип., 26 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176068STP34N65M5N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176069STP34NM60NN-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220ST Microelectronics
1176070STP34NM60NDN-канальный 600 В, 0,097 Ом, 29 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) TO-220ST Microelectronics
1176071STP35N65M5N-канальный 650 В, 0,085 Ом, 27, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220ST Microelectronics
1176072STP35NF10MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030 НИЗКИЙST Microelectronics
1176073STP35NF10MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1176074STP360N4F6N-канальный 40 V, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176075STP36N05LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176076STP36N05LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176077STP36N05LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176078STP36N05LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176079STP36N05LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176080STP36N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29397 | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | 29405 | 29406 | 29407 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com