|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29408 | 29409 | 29410 | 29411 | 29412 | 29413 | 29414 | 29415 | 29416 | 29417 | 29418 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1176481STP60NF03LН - КАНАЛ 30V - 0.008 Ома - Mosfet СИЛЫ 60A TO-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1176482STP60NF03LN-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A TO-220 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1176483STP60NF06MOSFET СИЛЫ ОМА 60A TO-220 STRIPFET N-CHANNEL 60V 0.014ST Microelectronics
1176484STP60NF06MOSFET СИЛЫ ОМА 60A TO-220 STRIPFET N-CHANNEL 60V 0.014SGS Thomson Microelectronics
1176485STP60NF06FPMOSFET СИЛЫ ОМА 60A TO-220 STRIPFET N-CHANNEL 60V 0.014ST Microelectronics
1176486STP60NF06LN-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET IIST Microelectronics
1176487STP60NF06LN-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1176488STP60NF06LFPN-CHANNEL 60V - 0.012 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK/TO-220/TO-220FP STRIPFET IIST Microelectronics
1176489STP60NF10N-CHANNEL 100V - 0.019 ома - mosfet СИЛЫ 80A™ TO-220 STripFET IIST Microelectronics
1176490STP60NS04ZN-CHANNEL ЗАЖАЛО 10 MOHM - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 60A TO-220 ПОЛЬНОСТЬЮ ЗАЩИЩЕННЫЙST Microelectronics
1176491STP60NS04ZН - КАНАЛ ЗАЖАЛ 10mOhm - 60A - ПОЛЬНОСТЬЮ ЗАЩИЩЕННЫЙ Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220SGS Thomson Microelectronics
1176492STP60NS04ZBN-CHANNEL ЗАЖАЛО MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 10MOHM 60A TO-220 ПОЛЬНОСТЬЮ ЗАЩИЩЕННЫЙST Microelectronics
1176493STP62NS04ZN-CHANNEL ЗАЖАЛО 0.0125 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 62ЈA TO-220 ПОЛЬНОСТЬЮ ЗАЩИЩЕННЫЙST Microelectronics
1176494STP65NF06N-канальный 60 V, 0,0115 Ом, 60, К-220 STripFET (TM) II на MOSFETST Microelectronics
1176495STP6LNC60MOSFET ОМА 5.8ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 1ST Microelectronics
1176496STP6LNC60MOSFET ОМА 5.8ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 1SGS Thomson Microelectronics
1176497STP6LNC60FPMOSFET ОМА 5.8ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 1ST Microelectronics
1176498STP6LNC60FPMOSFET ОМА 5.8ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 1SGS Thomson Microelectronics
1176499STP6N120K3N-канальный 1200 V, 1,95 Ом, 6 стабилитрон с защитой SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176500STP6N25СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176501STP6N25Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176502STP6N25СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176503STP6N25FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176504STP6N25FIН - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176505STP6N25FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176506STP6N50ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1176507STP6N50ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1176508STP6N50ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1176509STP6N50FIТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1176510STP6N50FIТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1176511STP6N50FIТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1176512STP6N60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176513STP6N60FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176514STP6N60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176515STP6N60M2N-канальный 600 В, 1,06 Ом тип., 4,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176516STP6N62K3N-канальный 620 В, 0,95 Ом тип., 5,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в TO-220 пакетST Microelectronics
1176517STP6N65M2N-канальный 650 В, 1,2 Ом тип., 4 MDmesh M2 питания MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176518STP6N80K5N-канальный 800 В, 1,3 Ом тип., 4,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176519STP6N95K5N-канальный 950 В, 1 Ом тип., 9 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176520STP6NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29408 | 29409 | 29410 | 29411 | 29412 | 29413 | 29414 | 29415 | 29416 | 29417 | 29418 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com