|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | 29504 | 29505 | 29506 | 29507 | 29508 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1180081STU8NC90ZIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180082STU8NC90ZIОМ 7.6ЈA MAX220 N-CHANNEL 900V 1.1/$$ET-MOSFET I-MAX220 ZENER-PROTECTED POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
1180083STU8NM50NN-канальный 500 В, 0,73 Ом, 5 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в ИпакST Microelectronics
1180084STU90N4F3N-канальный 40V - 5,4 Ом - 80A - DPAK - К-220 - IPAKST Microelectronics
1180085STU9N60M2N-канальный 600 В, 0,72 Ом тип., 5,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в ИПАК пакетаST Microelectronics
1180086STU9N65M2N-канальный 650 В, 0,79 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в ИПАК пакетаST Microelectronics
1180087STU9NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180088STU9NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1180089STU9NA60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1180090STU9NB80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180091STU9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 Ома - 9.3ЈA - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180092STU9NC80N-CHANNEL 800V - 0.82Јohm - Mosfet 8.6ЈA Зенер-Za5i5enny1 Max220/I-Max220 PowerMESH.?IST Microelectronics
1180093STU9NC80N-CHANNEL 800V - 0.82Јohm - Mosfet 8.6ЈA Зенер-Za5i5enny1 Max220/I-Max220 PowerMESH.?IST Microelectronics
1180094STU9NC80ZСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180095STU9NC80ZIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180096STU9NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1ohm - Mosfet 7.6ЈA Зенер-Za5i5enny1 Max220/I-Max220 PowerMESH.?IST Microelectronics
1180097STU9NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1ohm - Mosfet 7.6ЈA Зенер-Za5i5enny1 Max220/I-Max220 PowerMESH.?IST Microelectronics
1180098STUB010УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180099STUB011УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180100STUB012УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180101STUB013УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180102STUB015УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180103STUB016УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180104STUB018УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180105STUB020УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180106STUB022УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180107STUB024УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180108STUB027УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180109STUB030УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180110STUB033УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180111STUB036УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180112STUB039УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180113STUB043УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180114STUB047УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180115STUB051УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180116STUB056УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180117STUB062УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180118STUB068Работа пик обратного напряжения: 58,1 V, 1 мА, 400 Вт для поверхностного монтажа подавитель напряженияEIC discrete Semiconductors
1180119STUB06IУСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ПЕРЕХОДНЫЙEIC discrete Semiconductors
1180120STUB075Работа пик обратного напряжения: 64,1 V, 1 мА, 400 Вт для поверхностного монтажа подавитель напряженияEIC discrete Semiconductors
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | 29504 | 29505 | 29506 | 29507 | 29508 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com