Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1241081 | TPC6502 | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
1241082 | TPC6503 | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
1241083 | TPC6601 | Применения Конвертера Применений DC-DC Переключения
Скорости Эпитаксиального Типа Кремния PNP Транзистора Высокие | TOSHIBA |
1241084 | TPC6602 | Применения Строба Применений Конвертера Применений
DC-DC Переключения Скорости Эпитаксиального Типа Кремния
PNP Транзистора Высокие | TOSHIBA |
1241085 | TPC6603 | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
1241086 | TPC6604 | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
1241087 | TPC6701 | Применения Освещения Инвертора Применений Привода
Мотора Применений Переключения Скорости Эпитаксиального Типа Кремния
NPN Транзистора Мулти-Oblomoka Высокие | TOSHIBA |
1241088 | TPC6901A | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
1241089 | TPC6902 | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
1241090 | TPC6D03 | Тип Кремния PNP Приспособления Мулти-Oblomoka
Эпитаксиальный, Применения Конвертера Применений DC-DC
Переключения Скорости Диода Барьера Schottky Высокие | TOSHIBA |
1241091 | TPC6K01 | Общего назначения диод | TOSHIBA |
1241092 | TPC8001 | Применения PC тетради применений оборудования
применений батареи иона лития типа mos канала н кремния
транзистора влияния поля (pi-MOSVI-MOSVI) портативные | TOSHIBA |
1241093 | TPC8002 | Применения PC тетради применений оборудования
применений батареи иона лития типа mos канала н кремния
транзистора влияния поля (pi-MOSVI-MOSVI) портативные | TOSHIBA |
1241094 | TPC8003 | Применения PC Тетради Применений Оборудования
ApplicationsPortable Батареи Иона Лития Типа Mos Канала Н
Кремния Транзистора Влияния Поля (U-MOSII) | TOSHIBA |
1241095 | TPC8004 | Применения PC тетради применений оборудования
применений батареи иона лития типа mos канала н кремния
транзистора влияния поля (pi-MOSVI-MOSVI) портативные | TOSHIBA |
1241096 | TPC8005-H | Тип Mos Канала Н Кремния (Высокоскоростное
U−MOS) | TOSHIBA |
1241097 | TPC8006-H | Тип mos канала н кремния транзистора влияния поля
(высокоскоростное U-MOSII) применения PC тетради применений
оборудования конвертеров DC dc высокоскоростных и высокийа
организационно-технический уровень портативные | TOSHIBA |
1241098 | TPC8009-H | Тип mos канала н кремния транзистора влияния поля
(высокоскоростное U-MOSIII) применения оборудования применений
PC тетради конвертеров высокоскоростных и высокийа
организационно-технический уровень DC-DC портативные | TOSHIBA |
1241099 | TPC8010-H | Применения оборудования применений PC тетради
конвертеров типа mos канала н кремния транзистора влияния поля
(высокоскоростного U-MOSIII) DC-DC портативные | TOSHIBA |
1241100 | TPC8012-H | Конвертеры применения DC-DC регулятора
переключения типа mos канала н кремния транзистора влияния поля
(pi-MOSV-MOSV) | TOSHIBA |
1241101 | TPC8013-H | Тип mos канала н кремния транзистора влияния поля
(высокоскоростное U-MOS III) применения оборудования
применений PC тетради конвертеров высокоскоростных и высокийа
организационно-технический уровень DC-DC портативные | TOSHIBA |
1241102 | TPC8014 | Применения PC Тетради Применений Оборудования
Применений Батареи Иона Лития Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля (U-MOS III) Портативные | TOSHIBA |
1241103 | TPC8015-H | Серия Mosfet TPC | TOSHIBA |
1241104 | TPC8017-H | Серия Mosfet TPC | TOSHIBA |
1241105 | TPC8018-H | Серия Mosfet TPC | TOSHIBA |
1241106 | TPC8020-H | Серия Mosfet TPC | TOSHIBA |
1241107 | TPC8027 | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241108 | TPC8029 | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241109 | TPC8035-H | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241110 | TPC8036-H | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241111 | TPC8037-H | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241112 | TPC8038-H | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241113 | TPC8039-H | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241114 | TPC8040-H | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241115 | TPC8041 | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241116 | TPC8042 | Мощность MOSFET (N-канальный один VDSS≤30V) | TOSHIBA |
1241117 | TPC8045-H | Мощность MOSFET (N-канальный один 30V | TOSHIBA |
1241118 | TPC8046-H | Мощность MOSFET (N-канальный один 30V | TOSHIBA |
1241119 | TPC8047-H | Мощность MOSFET (N-канальный один 30V | TOSHIBA |
1241120 | TPC8048-H | Мощность MOSFET (N-канальный один 30V | TOSHIBA |
| | | |