| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 18201 | 1N4627 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18202 | 1N4627 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18203 | 1N4627 | НИЗКОЕ ТЕКУЩИЕ ОПЕРАЦИИ НА 250 uA | Compensated Devices Incorporated |
| 18204 | 1N4627 | 500MW НИЗКИЕ ДИОДЫ ШУМА SILION ZENER | Jinan Gude Electronic Device |
| 18205 | 1N4627 | НИЗКОГО УРОВНЯ ZENER ДИОДОВ ТЕЧЕНИЕ НИЗКО:
250.? - НИЗКИЙ ШУМ | Knox Semiconductor Inc |
| 18206 | 1N4627 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18207 | 1N4627 (DO35) | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18208 | 1N4627-1 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18209 | 1N4627-1 | НИЗКОЕ ТЕКУЩИЕ ОПЕРАЦИИ НА 250 uA | Compensated Devices Incorporated |
| 18210 | 1N4627C | 500 мВт с низким уровнем шума кремния стабилитрон. Номинальная 6.2V стабилитрон напряжение. 2% Допуск. | Jinan Gude Electronic Device |
| 18211 | 1N4627D | 500 мВт с низким уровнем шума кремния стабилитрон. Номинальная 6.2V стабилитрон напряжение. 1% допуска. | Jinan Gude Electronic Device |
| 18212 | 1N4627UR | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18213 | 1N4627UR-1 | ПАКЕТ LEADLESS ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ | Compensated Devices Incorporated |
| 18214 | 1N4627UR-1 | Стабилитрон Регулятор напряжения диода | Microsemi |
| 18215 | 1N462A | 60 V, 500 мВт общего назначения высокой проводимости диода | BKC International Electronics |
| 18216 | 1N462A | Общая цель высокая проводимость диода. Работа обратную 60V напряжения. | Fairchild Semiconductor |
| 18217 | 1N463A | 175 V, 500 мВт общего назначения высокой проводимости диода | BKC International Electronics |
| 18218 | 1N463A | Общая цель высокая проводимость диода. Работа обратную 175V напряжения. | Fairchild Semiconductor |
| 18219 | 1N464A | 125 В, 500 мВт общего назначения высокой проводимости диода | BKC International Electronics |
| 18220 | 1N4678 | З-Diody Кремния Эпитаксиальные Плоскостные | Vishay |
| 18221 | 1N4678 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18222 | 1N4678 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18223 | 1N4678 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 18224 | 1N4678 | 50 uA, НИЗКОЕ РАБОТАЯ ТЕЧЕНИЕ, ДИОДЫ
ZENER | Compensated Devices Incorporated |
| 18225 | 1N4678 | ТЕЧЕНИЕ ДИОДОВ ULTRA-LOW НИЗКОГО УРОВНЯ
ZENER: 50.? - НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 18226 | 1N4678 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18227 | 1N4678 | 500 милливатт стекла кремния стабилитрон, стабилитрон напряжение 1.8V | Motorola |
| 18228 | 1N4678 (DO35) | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18229 | 1N4678-D | 500 регуляторов напряжения тока mW DO-35
герметично загерметизированных стеклянных Zener | ON Semiconductor |
| 18230 | 1N4679 | З-Diody Кремния Эпитаксиальные Плоскостные | Vishay |
| 18231 | 1N4679 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18232 | 1N4679 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18233 | 1N4679 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 18234 | 1N4679 | 50 uA, НИЗКОЕ РАБОТАЯ ТЕЧЕНИЕ, ДИОДЫ
ZENER | Compensated Devices Incorporated |
| 18235 | 1N4679 | ТЕЧЕНИЕ ДИОДОВ ULTRA-LOW НИЗКОГО УРОВНЯ
ZENER: 50.? - НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 18236 | 1N4679 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18237 | 1N4679 | 500 милливатт стекла кремния стабилитрон, стабилитрон напряжение 2В | Motorola |
| 18238 | 1N4679 (DO35) | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18239 | 1N4680 | З-Diody Кремния Эпитаксиальные Плоскостные | Vishay |
| 18240 | 1N4680 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| | | |
