| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 249801 | BC307-D | Кремний Транзисторов PNP Усилителя | ON Semiconductor |
| 249802 | BC307A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Fairchild Semiconductor |
| 249803 | BC307A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Fairchild Semiconductor |
| 249804 | BC307A | 1.000W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 220 HFE | Continental Device India Limited |
| 249805 | BC307ABU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249806 | BC307ATA | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249807 | BC307B | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 249808 | BC307B | Усилитель Transistors(PNP) | Motorola |
| 249809 | BC307B | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249810 | BC307B | Применений Вспышки Строба Типа Кремния PNP
Транзистора Применения Усилителя Силы Эпитаксиальных Средств | ON Semiconductor |
| 249811 | BC307B | 0.350W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200 - 460 HFE | Continental Device India Limited |
| 249812 | BC307BBU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249813 | BC307BRL1 | Применений Вспышки Строба Типа Кремния PNP
Транзистора Применения Усилителя Силы Эпитаксиальных Средств | ON Semiconductor |
| 249814 | BC307BTA | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249815 | BC307BTF | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249816 | BC307BTFR | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249817 | BC307BU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249818 | BC307BZL1 | Применений Вспышки Строба Типа Кремния PNP
Транзистора Применения Усилителя Силы Эпитаксиальных Средств | ON Semiconductor |
| 249819 | BC307C | Усилитель Transistors(PNP) | Motorola |
| 249820 | BC307C | Пластмасса PNP Кремния Транзистора | ON Semiconductor |
| 249821 | BC307C | 1.000W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420 - 800 HFE | Continental Device India Limited |
| 249822 | BC307CBU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249823 | BC307CZL1 | Усилитель Транзистор PNP | ON Semiconductor |
| 249824 | BC308 | Применения переключения и усилителя | Fairchild Semiconductor |
| 249825 | BC308 | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
| 249826 | BC308 | Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci
ma.ej | Ultra CEMI |
| 249827 | BC308 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Micro Electronics |
| 249828 | BC308 | 1.000W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 800 HFE | Continental Device India Limited |
| 249829 | BC308 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -30V. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -25V. Эмиттер-баз | USHA India LTD |
| 249830 | BC308A | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249831 | BC308A | 1.000W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 220 HFE | Continental Device India Limited |
| 249832 | BC308ABU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249833 | BC308ATA | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249834 | BC308ATF | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249835 | BC308ATFR | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249836 | BC308B | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Fairchild Semiconductor |
| 249837 | BC308B | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Fairchild Semiconductor |
| 249838 | BC308B | 1.000W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200 - 460 HFE | Continental Device India Limited |
| 249839 | BC308BBU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 249840 | BC308BTA | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| | | |
