|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | 6250 | 6251 | 6252 | 6253 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
249881BC327Малые Транзисторы Сигнала (PNP)Vishay
249882BC327Малые Транзисторы Сигнала (PNP)General Semiconductor
249883BC327Транзистор Af Кремния PNPInfineon
249884BC327Применения Переключения Эпитаксиальных Плоскостных Транзисторов Кремния PNP Высок-V настоящее времяHoney Technology
249885BC327ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ AF КРЕМНИЯ PNP СРЕДСТВMicro Electronics
249886BC327Транзисторы af кремния PNP (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера течения сборника в настоящее время увеличения высокое низкое)Siemens
249887BC327Усилитель Transistors(PNP)Motorola
249888BC327Пластмасса PNP Кремния ТранзистораON Semiconductor
249889BC327Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
249890BC327Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной для применений переключения и усилителяSemtech
249891BC3270.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100 - 600 HFEContinental Device India Limited
249892BC327Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -50 В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -45V. Эмиттер-баUSHA India LTD
249893BC327-016Пластмасса PNP Кремния ТранзистораON Semiconductor
249894BC327-025Пластмасса PNP Кремния ТранзистораON Semiconductor
249895BC327-040Пластмасса PNP Кремния ТранзистораON Semiconductor
249896BC327-100.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.800A Ic, 63 - 160 HFEContinental Device India Limited
249897BC327-16Транзистор general purpose PNP; Транзистор резистор-oborudovanny1 NPNPhilips
249898BC327-16Транзисторы af кремния PNP (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера течения сборника в настоящее время увеличения высокое низкое)Siemens
249899BC327-16Усилитель Transistors(PNP)Motorola
249900BC327-16Кремний PlasticPNP ТранзистораON Semiconductor
249901BC327-16Транзисторы, Rf & AfVishay
249902BC327-16Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
249903BC327-160.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100 - 250 HFEContinental Device India Limited
249904BC327-16Слабый сигнал транзистора (PNP)General Semiconductor
249905BC327-16RL1Усилитель Транзистор PNPON Semiconductor
249906BC327-16ZL1Кремний PlasticPNP ТранзистораON Semiconductor
249907BC327-25Транзистор general purpose PNP; Транзистор резистор-oborudovanny1 NPNPhilips
249908BC327-25МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNPST Microelectronics
249909BC327-25МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5SGS Thomson Microelectronics
249910BC327-25Транзисторы af кремния PNP (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера течения сборника в настоящее время увеличения высокое низкое)Siemens
249911BC327-25Усилитель Transistors(PNP)Motorola
249912BC327-25Кремний PlasticPNP ТранзистораON Semiconductor
249913BC327-25Транзисторы, Rf & AfVishay
249914BC327-25Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
249915BC327-250.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.800A Ic, 160 - 400 HFEContinental Device India Limited
249916BC327-25Слабый сигнал транзистора (PNP)General Semiconductor
249917BC327-25-APМАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNPST Microelectronics
249918BC327-25-APСлабый сигнал PNP транзисторыSGS Thomson Microelectronics
249919BC327-25RL1Кремний PlasticPNP ТранзистораON Semiconductor
249920BC327-25ZL1Кремний PlasticPNP ТранзистораON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | 6250 | 6251 | 6252 | 6253 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com