|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6261 | 6262 | 6263 | 6264 | 6265 | 6266 | 6267 | 6268 | 6269 | 6270 | 6271 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
250601BC550BNPN транзисторы общего назначенияPhilips
250602BC550B50 В, 100 мА, NPN кремниевый транзисторSiemens
250603BC550BBUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250604BC550BTAТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250605BC550BTARТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250606BC550BUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250607BC550CТранзисторы general purpose NPNPhilips
250608BC550CНизкие Транзисторы ШумаMotorola
250609BC550CНизкие Транзисторы ШумаON Semiconductor
250610BC550C0.625W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420 - 800 HFEContinental Device India Limited
250611BC550C50 В, 100 мА, NPN кремниевый транзисторSiemens
250612BC550CBUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250613BC550CTAТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250614BC556Транзисторы general purpose PNPPhilips
250615BC556Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250616BC556Общего назначения ТранзисторыKorea Electronics (KEC)
250617BC556Малые Транзисторы Сигнала (PNP)Vishay
250618BC556Малые Транзисторы Сигнала (PNP)General Semiconductor
250619BC556Применения Переключения Эпитаксиальных Плоскостных Транзисторов Кремния PNP Высок-V настоящее времяHoney Technology
250620BC556ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА AF КРЕМНИЯ PNP МАЛЫЕMicro Electronics
250621BC556ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNPSiemens
250622BC556ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕBoca Semiconductor Corporation
250623BC556Транзистор 625mW Усилителя Кремния PNPMicro Commercial Components
250624BC556Кремний Транзисторов NPN УсилителяMotorola
250625BC556Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
250626BC556Кремний Transistors(PNP Усилителя)ON Semiconductor
250627BC556Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной для переключения и применений af....Semtech
250628BC5560.500W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 0.100A Ic, 75 - 475 HFEContinental Device India Limited
250629BC556Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -80V, VCEO = -65V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA.USHA India LTD
250630BC556AТранзисторы general purpose PNPPhilips
250631BC556AТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕBoca Semiconductor Corporation
250632BC556AТранзисторы, Rf & AfVishay
250633BC556AКремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
250634BC556A0.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 65V VCEO, 0.100A Ic, 110 - 220 HFEContinental Device India Limited
250635BC556AСлабый сигнал транзистора (PNP)General Semiconductor
250636BC556A80 В, 100 мА, PNP кремниевый транзисторSiemens
250637BC556ABUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250638BC556ATAТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
250639BC556BТранзисторы general purpose PNPPhilips
250640BC556BТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕBoca Semiconductor Corporation
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6261 | 6262 | 6263 | 6264 | 6265 | 6266 | 6267 | 6268 | 6269 | 6270 | 6271 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com