| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 252241 | BC856AT | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252242 | BC856AT | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252243 | BC856AT | General purpose Amplifier/Switch
Транзистора PNP Сигнала SMD Малое | Central Semiconductor |
| 252244 | BC856AT | Транзистор Af Кремния PNP | Infineon |
| 252245 | BC856AT | PNP транзисторы общего назначения | NXP Semiconductors |
| 252246 | BC856AW | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252247 | BC856AW | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252248 | BC856AW | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
| 252249 | BC856AW | Общего назначения транзисторы - пакет SOT323 | Infineon |
| 252250 | BC856AW | Транзисторы af кремния PNP (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
| 252251 | BC856AW | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252252 | BC856AW | PNP транзисторы общего назначения | NXP Semiconductors |
| 252253 | BC856AW | PNP транзистор общего назначения и коммутационных приложений | Korea Electronics (KEC) |
| 252254 | BC856AW-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| 252255 | BC856AW-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 252256 | BC856AW-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = -80V, V CEO = -65V, V EBO = -5, я C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252257 | BC856AWT1 | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252258 | BC856AWT1 | СЛУЧАЙ 419-02, ВВОДИТ 3 SOT-323/SC-70 В
МОДУ | Motorola |
| 252259 | BC856AWT1-D | Общего назначения Кремний Транзисторов PNP | ON Semiconductor |
| 252260 | BC856B | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
| 252261 | BC856B | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
| 252262 | BC856B | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Zetex Semiconductors |
| 252263 | BC856B | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
| 252264 | BC856B | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | General Semiconductor |
| 252265 | BC856B | Общего назначения транзисторы - пакет SOT23 | Infineon |
| 252266 | BC856B | Транзисторы af кремния PNP (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
| 252267 | BC856B | Транзистор 310mW Сигнала PNP Малый | Micro Commercial Components |
| 252268 | BC856B | Шум Транзистора PNP Сигнала SMD Малый Низкий | Central Semiconductor |
| 252269 | BC856B | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 252270 | BC856B | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
| 252271 | BC856B | Транзисторы, Rf & Af | Vishay |
| 252272 | BC856B | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252273 | BC856B | PNP транзисторы общего назначения | NXP Semiconductors |
| 252274 | BC856B | 0.250W общего назначения PNP SMD транзистор. 65V VCEO, 0.100A Ic, 220 - 475 HFE. Дополнительные BC846B | Continental Device India Limited |
| 252275 | BC856B | PNP транзистор общего назначения и коммутационных приложений | Korea Electronics (KEC) |
| 252276 | BC856B | Ic = 100 мА, Vce = 5.0V транзистор | MCC |
| 252277 | BC856B | 80 V, PNP поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
| 252278 | BC856B | 80 V, PNP поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRSYS |
| 252279 | BC856B(Z) | SOT23 NPN кремниевой планарной ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРЫ | Diodes |
| 252280 | BC856B-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| | | |
