| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 252721 | BC858CLT3G | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252722 | BC858CLT3G | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252723 | BC858CLT3G | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252724 | BC858CMTF | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 252725 | BC858CW | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
| 252726 | BC858CW | Общего назначения транзисторы - пакет SOT323 | Infineon |
| 252727 | BC858CW | Транзисторы af кремния PNP (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
| 252728 | BC858CW | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252729 | BC858CW | PNP транзистор общего назначения и коммутационных приложений | Korea Electronics (KEC) |
| 252730 | BC858CW-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| 252731 | BC858CW-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| 252732 | BC858CW-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = -30V, V CEO = -30V, V EBO = -5, я C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252733 | BC858CWT1 | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252734 | BC858CWT1 | PNP кремния общего назначения транзистор | Motorola |
| 252735 | BC858F | Транзистор кремния PNP (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
| 252736 | BC858F | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252737 | BC858S | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252738 | BC858S | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252739 | BC858T | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
| 252740 | BC858T | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
| 252741 | BC858U | Транзистор кремния PNP (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
| 252742 | BC858UF | Транзистор кремния PNP (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
| 252743 | BC858W | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252744 | BC858W | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
| 252745 | BC858W | PNP транзисторы общего назначения | NXP Semiconductors |
| 252746 | BC858W | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252747 | BC858W | NPN af кремния транзисторы | Infineon |
| 252748 | BC859 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 252749 | BC859 | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
| 252750 | BC859 | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | Vishay |
| 252751 | BC859 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Zetex Semiconductors |
| 252752 | BC859 | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | General Semiconductor |
| 252753 | BC859 | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252754 | BC859 | 0.250W общего назначения PNP SMD транзистор. 30В VCEO, 0.100A Ic, 125 - 800 HFE. Дополнительные BC849 | Continental Device India Limited |
| 252755 | BC859 | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252756 | BC859 | NPN af кремния транзисторы | Infineon |
| 252757 | BC859A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Zetex Semiconductors |
| 252758 | BC859A | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | General Semiconductor |
| 252759 | BC859A | Общего назначения транзисторы - пакет SOT23 | Infineon |
| 252760 | BC859A | Транзисторы af кремния PNP (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
| | | |
