| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 26041 | 1N5523 | ВЫСОКИЙ КЛАСС ИСПОЛНЕНИЯ ДИОДОВ ЛАВИНЫ ZENER
НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА: НИЗКИЙ ШУМ, НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 26042 | 1N5523A | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26043 | 1N5523A | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 5,1 В. Испытательный ток 5,0 MADC. + -10% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26044 | 1N5523B | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26045 | 1N5523B | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26046 | 1N5523B | НИЗКИЕ ОБРАТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УТЕЧКИ | Compensated Devices Incorporated |
| 26047 | 1N5523B | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 26048 | 1N5523B | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 5,1 В. Испытательный ток 5,0 MADC. + -5% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26049 | 1N5523B (DO35) | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26050 | 1N5523B-1 | НИЗКИЕ ОБРАТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УТЕЧКИ | Compensated Devices Incorporated |
| 26051 | 1N5523B-1 | Низкое напряжение Avalanche Зенера | Microsemi |
| 26052 | 1N5523BUR-1 | Низкое напряжение Avalanche Зенера | Microsemi |
| 26053 | 1N5523C | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 26054 | 1N5523C | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 5,1 В. Испытательный ток 5,0 MADC. + -2% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26055 | 1N5523D | ДИОДЫ ЛАВИНЫ НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26056 | 1N5523D | ДИОДЫ ЛАВИНЫ НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26057 | 1N5524 | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26058 | 1N5524 | ДИОДЫ ЛАВИНЫ НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26059 | 1N5524 | ВЫСОКИЙ КЛАСС ИСПОЛНЕНИЯ ДИОДОВ ЛАВИНЫ ZENER
НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА: НИЗКИЙ ШУМ, НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 26060 | 1N5524A | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26061 | 1N5524A | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 5,6 В. Испытательный ток 3,0 MADC. + -10% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26062 | 1N5524B | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26063 | 1N5524B | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26064 | 1N5524B | НИЗКИЕ ОБРАТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УТЕЧКИ | Compensated Devices Incorporated |
| 26065 | 1N5524B | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 26066 | 1N5524B | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 5,6 В. Испытательный ток 3,0 MADC. + -5% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26067 | 1N5524B (DO35) | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26068 | 1N5524B-1 | НИЗКИЕ ОБРАТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УТЕЧКИ | Compensated Devices Incorporated |
| 26069 | 1N5524B-1 | Низкое напряжение Avalanche Зенера | Microsemi |
| 26070 | 1N5524BUR-1 | Низкое напряжение Avalanche Зенера | Microsemi |
| 26071 | 1N5524C | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 26072 | 1N5524C | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 5,6 В. Испытательный ток 3,0 MADC. + -2% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26073 | 1N5524D | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 26074 | 1N5524D | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 5,6 В. Испытательный ток 3,0 MADC. + -1% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26075 | 1N5525 | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26076 | 1N5525 | ДИОДЫ ЛАВИНЫ НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26077 | 1N5525 | ВЫСОКИЙ КЛАСС ИСПОЛНЕНИЯ ДИОДОВ ЛАВИНЫ ZENER
НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА: НИЗКИЙ ШУМ, НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 26078 | 1N5525A | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| 26079 | 1N5525A | 0,4 Вт, низкое напряжение лавинный диод. Номинальная стабилитрон напряжение 6,2 В. Испытательный ток 1,0 MADC. + -10% Терпимость. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26080 | 1N5525B | Лавина Zener Низкого Напряжения тока | Microsemi |
| | | |
