Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
401681 | EN29LV512-70SI | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401682 | EN29LV512-70SIP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401683 | EN29LV512-70TC | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401684 | EN29LV512-70TCP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401685 | EN29LV512-70TI | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401686 | EN29LV512-70TIP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401687 | EN29LV512-90JC | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401688 | EN29LV512-90JCP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401689 | EN29LV512-90JI | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401690 | EN29LV512-90JIP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401691 | EN29LV512-90SC | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401692 | EN29LV512-90SCP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401693 | EN29LV512-90SI | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401694 | EN29LV512-90SIP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401695 | EN29LV512-90TC | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401696 | EN29LV512-90TCP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401697 | EN29LV512-90TI | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401698 | EN29LV512-90TIP | участок 512 Kbit (64K x
8ое-разрядн) равномерный, cmos память вспышки 3.0
Vol6tov-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401699 | EN29LV800 | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401700 | EN29LV800B70RS | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401701 | EN29LV800B70RSI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401702 | EN29LV800B70RSIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401703 | EN29LV800B70RSP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401704 | EN29LV800B70RT | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401705 | EN29LV800B70RTI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401706 | EN29LV800B70RTIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401707 | EN29LV800B70RTP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401708 | EN29LV800B90S | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401709 | EN29LV800B90SI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401710 | EN29LV800B90SIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401711 | EN29LV800B90SP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401712 | EN29LV800B90T | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401713 | EN29LV800B90TI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401714 | EN29LV800B90TIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401715 | EN29LV800B90TP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401716 | EN29LV800J | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
401717 | EN29LV800JB-70T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
401718 | EN29LV800JB-70TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
401719 | EN29LV800JB-90T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
401720 | EN29LV800JB-90TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Нижний сектор. | Eon Silicon Solution |
| | | |