Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
44201 | 2N1989 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
44202 | 2N1990 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
44203 | 2N1991 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
44204 | 2N1991 | Двухполярное приспособление PNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
44205 | 2N2017 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
44206 | 2N2023 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44207 | 2N2023 | V (РРМ / DRM): 25V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44208 | 2N2024 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44209 | 2N2024 | V (РРМ / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44210 | 2N2025 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44211 | 2N2025 | V (РРМ / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44212 | 2N2026 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44213 | 2N2026 | V (РРМ / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44214 | 2N2027 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44215 | 2N2027 | V (РРМ / DRM): 200 В; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44216 | 2N2028 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44217 | 2N2028 | V (РРМ / DRM): 250; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44218 | 2N2029 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44219 | 2N2029 | V (РРМ / DRM): 300 В; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44220 | 2N2030 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
44221 | 2N2030 | V (РРМ / DRM): 400; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
44222 | 2N2049 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
44223 | 2N2060 | NPN Удваивают Транзисторы | Microsemi |
44224 | 2N2060 | Освинцованный Малый Транзистор Сигнала Двойной | Central Semiconductor |
44225 | 2N2060 | NPN кремния двойной усилитель транзистор. | Motorola |
44226 | 2N2060(CAN) | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Semicoa Semiconductor |
44227 | 2N2060A | ДВОЙНОЙ КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА NPN УСИЛИТЕЛЯ | SemeLAB |
44228 | 2N2060A | Освинцованный Малый Транзистор Сигнала Двойной | Central Semiconductor |
44229 | 2N2060J | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Semicoa Semiconductor |
44230 | 2N2060JV | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Semicoa Semiconductor |
44231 | 2N2060JX | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Semicoa Semiconductor |
44232 | 2N2060L | NPN Удваивают Транзисторы | Microsemi |
44233 | 2N2060M | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
44234 | 2N2079 | Транзисторы Силы Германего | Semitronics |
44235 | 2N2079A | Транзисторы Силы Германего | GPD Optoelectronic Devices |
44236 | 2N20906A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ | Siemens |
44237 | 2N20907A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ | Siemens |
44238 | 2N2102 | ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ПЛОСКОСТНОЕ NPN | ST Microelectronics |
44239 | 2N2102 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ СИЛЫ AF КРЕМНИЯ
СРЕДСТВ | Micro Electronics |
44240 | 2N2102 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |