Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
442321 | GN1L3Z | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
442322 | GN1L3Z-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
442323 | GN1L3Z-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
442324 | GN1L4L | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
442325 | GN1L4L-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
442326 | GN1L4L-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
442327 | GN1L4M | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
442328 | GN1L4M-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
442329 | GN1L4M-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
442330 | GN1L4Z | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
442331 | GN1L4Z-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
442332 | GN1L4Z-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
442333 | GN1M | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442334 | GN1M | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
442335 | GN20 | Пакет GN Xx-$$ET-Vodit Пластмассу SSOP
(Узкий Дюйм 150) | etc |
442336 | GN24 | Пакет GN Xx-$$ET-Vodit Пластмассу SSOP
(Узкий Дюйм 150) | etc |
442337 | GN2470 | ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ ВСПЫШКИ СТРОБА КАНАЛА
IGBT Н КРЕМНИЯ ТРАНЗИСТОРА СТРОБА ДВУХПОЛЯРНЫЕ | Supertex Inc |
442338 | GN2470K4 | ИЗОЛИРОВАННЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ ВСПЫШКИ СТРОБА КАНАЛА
IGBT Н КРЕМНИЯ ТРАНЗИСТОРА СТРОБА ДВУХПОЛЯРНЫЕ | Supertex Inc |
442339 | GN28 | Пакет GN Xx-$$ET-Vodit Пластмассу SSOP
(Узкий Дюйм 150) | etc |
442340 | GN2A | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442341 | GN2B | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442342 | GN2D | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442343 | GN2G | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442344 | GN2J | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442345 | GN2K | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442346 | GN2M | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442347 | GN3A | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442348 | GN3A | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
442349 | GN3B | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442350 | GN3B | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
442351 | GN3D | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442352 | GN3D | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
442353 | GN3G | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442354 | GN3G | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
442355 | GN3J | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442356 | GN3J | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
442357 | GN3K | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442358 | GN3K | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
442359 | GN3M | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
442360 | GN3M | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| | | |