| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 46841 | 2N5007 | 100 В, 10 скоростной PNP транзистор | Solid State Devices Inc |
| 46842 | 2N5008 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР NPN 120
ВОЛЬТОВ | Solid State Devices Inc |
| 46843 | 2N5008 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР NPN 120
ВОЛЬТОВ | Solid State Devices Inc |
| 46844 | 2N5009 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР PNP | Philips |
| 46845 | 2N5009 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР PNP | Philips |
| 46846 | 2N5009 | 100 В, 10 скоростной PNP транзистор | Solid State Devices Inc |
| 46847 | 2N5010 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ NPN | SemeLAB |
| 46848 | 2N5010 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ NPN | SemeLAB |
| 46849 | 2N5011 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 46850 | 2N5011 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 46851 | 2N5012 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 46852 | 2N5013 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 46853 | 2N5013 | 800 В, 0,5 Высокое напряжение NPN-транзистор | Solid State Devices Inc |
| 46854 | 2N5014 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ NPN | SemeLAB |
| 46855 | 2N5014 | 900 В, 0,5 Высокое напряжение NPN-транзистор | Solid State Devices Inc |
| 46856 | 2N5015 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 46857 | 2N5015 | 1000 В, 0,5 Высокое напряжение NPN-транзистор | Solid State Devices Inc |
| 46858 | 2N5018 | П-Kanal, Одиночный, Переключатель JFET | Linear Systems |
| 46859 | 2N5018 | P-канальный JFET переключатель. | Intersil |
| 46860 | 2N5019 | П-Kanal, Одиночный, Переключатель JFET | Linear Systems |
| 46861 | 2N5019 | P-канальный JFET переключатель. | Intersil |
| 46862 | 2N5020 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
П-Kanala | InterFET Corporation |
| 46863 | 2N5021 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
П-Kanala | InterFET Corporation |
| 46864 | 2N5022 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | Central Semiconductor |
| 46865 | 2N5023 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | Central Semiconductor |
| 46866 | 2N5031 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ RF & МИКРОВОЛНЫ ДИСКРЕТНЫЕ
НИЗКИЕ | Microsemi |
| 46867 | 2N5038 | ВЫСОКИЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ТЕЧЕНИЯ NPN | ST Microelectronics |
| 46868 | 2N5038 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 46869 | 2N5038 | ВЫСОКИЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ТЕЧЕНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 46870 | 2N5038 | ВЫСОКИЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ТЕЧЕНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 46871 | 2N5038 | СИЛА TRANSISTORS(20A, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46872 | 2N5038 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 46873 | 2N5038 | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | ON Semiconductor |
| 46874 | 2N5038 | Высокий ток, высокая мощность, высокая скорость кремния NPN плоская транзистор. | General Electric Solid State |
| 46875 | 2N5038-D | Транзисторы кремния NPN (высокое напряжение тока
нервного расстройства л низкое напряжение тока сатурации коллектор-
эмиттера) | ON Semiconductor |
| 46876 | 2N5039 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 46877 | 2N5039 | СИЛА TRANSISTORS(20A, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46878 | 2N5039 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 46879 | 2N5039 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | ON Semiconductor |
| 46880 | 2N5039 | Высокий ток, высокая мощность, высокая скорость кремния NPN плоская транзистор. | General Electric Solid State |
| | | |
