| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 47681 | 2N5550 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | Micro Electronics |
| 47682 | 2N5550 | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
| 47683 | 2N5550 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47684 | 2N5550 | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 47685 | 2N5550 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
UHF ТЮНЕРА OSC/MIX | Samsung Electronic |
| 47686 | 2N5550 | Транзистор Expitaxial кремния NPN плоскостной
для применений усилителя общееа назначение высоковольтных | Semtech |
| 47687 | 2N5550 | 0.500W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 140В VCEO, 0.600A Ic, 60 - HFE | Continental Device India Limited |
| 47688 | 2N5550 | Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 140В = VCEO. Напряжения коллектор-база: 160V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (ма | USHA India LTD |
| 47689 | 2N5550-D | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | ON Semiconductor |
| 47690 | 2N5550BU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 47691 | 2N5550RLRA | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 47692 | 2N5550RLRP | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 47693 | 2N5550S | Высоковольтный Кремний Transistor(PNP) | Korea Electronics (KEC) |
| 47694 | 2N5550TA | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 47695 | 2N5550TAR | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 47696 | 2N5550TF | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 47697 | 2N5550TFR | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 47698 | 2N5550_D26Z | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 47699 | 2N5550_J24Z | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 47700 | 2N5551 | Транзисторы NPN высоковольтные | Philips |
| 47701 | 2N5551 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | National Semiconductor |
| 47702 | 2N5551 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47703 | 2N5551 | Высоковольтный Кремний Transistor(PNP) | Korea Electronics (KEC) |
| 47704 | 2N5551 | Транзистор кремния NPN эпитаксиальный плоскостной
для применений переключения и усилителя af | Honey Technology |
| 47705 | 2N5551 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | Micro Electronics |
| 47706 | 2N5551 | Транзистор кремния NPN (применение общего
назначения усилителя высоковольтное) | AUK Corp |
| 47707 | 2N5551 | ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ КРЕМНИЯ NPN
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Boca Semiconductor Corporation |
| 47708 | 2N5551 | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
| 47709 | 2N5551 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47710 | 2N5551 | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 47711 | 2N5551 | Транзистор Expitaxial кремния NPN плоскостной
для применений усилителя общееа назначение высоковольтных | Semtech |
| 47712 | 2N5551 | 0.625W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 160V VCEO, 0.600A Ic, 80 - HFE | Continental Device India Limited |
| 47713 | 2N5551 | Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 160V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 180V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (ма | USHA India LTD |
| 47714 | 2N5551BU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47715 | 2N5551C | Высоковольтный Кремний Transistor(PNP) | Korea Electronics (KEC) |
| 47716 | 2N5551CBU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47717 | 2N5551CTA | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47718 | 2N5551HR | Привет-Rel NPN биполярный транзистор 160 В, 0,5 | ST Microelectronics |
| 47719 | 2N5551HRG | Привет-Rel NPN биполярный транзистор 160 В, 0,5 | ST Microelectronics |
| 47720 | 2N5551HRT | Привет-Rel NPN биполярный транзистор 160 В, 0,5 | ST Microelectronics |
| | | |
