| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48361 | 2N6111 | ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ PNP | ST Microelectronics |
| 48362 | 2N6111 | ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48363 | 2N6111 | ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48364 | 2N6111 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48365 | 2N6111 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48366 | 2N6111 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48367 | 2N6111 | Сила 7A 30V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 48368 | 2N6111 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 7.000A Ic, 30 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48369 | 2N6111 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -40V. | General Electric Solid State |
| 48370 | 2N6116 | Кремний программируемый unijuction транзистор. | Motorola |
| 48371 | 2N6117 | Кремний программируемый unijuction транзистор. | Motorola |
| 48372 | 2N6118 | Кремний программируемый unijuction транзистор. | Motorola |
| 48373 | 2N6121 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | MOSPEC Semiconductor |
| 48374 | 2N6121 | Средств сила линейная и применения переключения | Boca Semiconductor Corporation |
| 48375 | 2N6121 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48376 | 2N6121 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 4.000A Ic, 10 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48377 | 2N6121 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 45V. | General Electric Solid State |
| 48378 | 2N6122 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | MOSPEC Semiconductor |
| 48379 | 2N6122 | Средств сила линейная и применения переключения | Boca Semiconductor Corporation |
| 48380 | 2N6122 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48381 | 2N6122 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25 - 100 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48382 | 2N6122 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 60V. | General Electric Solid State |
| 48383 | 2N6123 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | MOSPEC Semiconductor |
| 48384 | 2N6123 | Средств сила линейная и применения переключения | Boca Semiconductor Corporation |
| 48385 | 2N6123 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48386 | 2N6123 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 4.000A Ic, 20 - 80 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48387 | 2N6123 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V. | General Electric Solid State |
| 48388 | 2N6124 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | MOSPEC Semiconductor |
| 48389 | 2N6124 | Средств сила линейная и применения переключения | Boca Semiconductor Corporation |
| 48390 | 2N6124 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48391 | 2N6124 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 4.000A Ic, 25 - 100 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48392 | 2N6124 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -45V. | General Electric Solid State |
| 48393 | 2N6125 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | MOSPEC Semiconductor |
| 48394 | 2N6125 | Средств сила линейная и применения переключения | Boca Semiconductor Corporation |
| 48395 | 2N6125 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48396 | 2N6125 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25 - 100 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48397 | 2N6125 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V. | General Electric Solid State |
| 48398 | 2N6126 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | MOSPEC Semiconductor |
| 48399 | 2N6126 | Средств сила линейная и применения переключения | Boca Semiconductor Corporation |
| 48400 | 2N6126 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| | | |
