|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1234 | 1235 | 1236 | 1237 | 1238 | 1239 | 1240 | 1241 | 1242 | 1243 | 1244 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
495212N7002ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELPanjit International Inc
495222N7002Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-KanalaChino-Excel Technology
495232N7002FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
495242N7002N-CHANNEL 60V - 1.8 Ома - 0.35ЈA SOT23-3L - Mosfet TO-92™STripFET IIST Microelectronics
495252N700260 В, 300 мА N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495262N7002N-канальный транзистор. Слив-источниковедение напряжение 60 В.Comchip Technology
495272N70020,2 Вт Мощность MOSFET, VDSS 60V, 0.115A Id, 7.5Om RdsSemiWell Semiconductor
495282N7002(Z)60V SOT23 N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495292N7002-01ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELDiodes
495302N7002-13-FN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495312N7002-7-02N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495322N7002-7-FN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495332N7002-GMOSFET, V DS = 60В, I D = 0.25A, P D = 350 мВтComchip Technology
495342N7002-HFБезгалогеновые MOSFET, V DS = 60В, I D = 0.25A, P D = 350 мВтComchip Technology
495352N7002AN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495362N7002A-7N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495372N7002AQN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495382N7002AXN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495392N7002BK60 В, 350 мА N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495402N7002BKM60 В, 450 мА N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495412N7002BKMB60 В, один N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495422N7002BKS60 В, 300 мА двойной N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495432N7002BKT60 В, 290 мА N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495442N7002BKV60 В, 340 мА двойной N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495452N7002BKW60 В, 310 мА N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
495462N7002CK60 В, 0,3 А Тренч МОП-транзистор N-канальныйNXP Semiconductors
495472N7002CSMТРАНЗИСТОР MOS РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELSemeLAB
495482N7002DWMOSFETSDiodes
495492N7002DWРежим усиления поля N-канал Транзистор ВлиянияFairchild Semiconductor
495502N7002DW-7-FDUAL N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495512N7002DWADUAL N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495522N7002DWA-13DUAL N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495532N7002DWA-7DUAL N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
495542N7002EFet Уровня Логики TrenchMOS(tm)Philips
495552N7002EMosfet Н-Kanala 60-VVishay
495562N7002EMOSFETSDiodes
495572N7002EМалый MOSFET сигнала 60V 310mA 2,5 Ом Н-Kanala SOT-23ON Semiconductor
495582N7002EN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
495592N7002E60V; 0.25A; N-канальный Enchanced режим полевой транзисторSamHop Microelectronics Corp.
495602N7002EИмпульсные транзисторыPanasonic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1234 | 1235 | 1236 | 1237 | 1238 | 1239 | 1240 | 1241 | 1242 | 1243 | 1244 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com