| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 50321 | 2SA1295 | Кремний PNP эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и генералитет) | Sanken |
| 50322 | 2SA1296 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 50323 | 2SA1297 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 50324 | 2SA1298 | Применения переключения силы применения усилителя силы
низкой частотности кремния PNP транзистора эпитаксиальные
(процесс pct) | TOSHIBA |
| 50325 | 2SA1300 | Применений вспышки строба типа кремния PNP
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) средств | TOSHIBA |
| 50326 | 2SA1301 | DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO
PNP ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC) | Wing Shing Computer Components |
| 50327 | 2SA1302 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 200v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50328 | 2SA1302 | DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO
PNP ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC) | Wing Shing Computer Components |
| 50329 | 2SA1303 | Кремний PNP эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и general purpose) | Sanken |
| 50330 | 2SA1304 | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ
ВЕРТИКАЛЬНЫЕ) | TOSHIBA |
| 50331 | 2SA1306 | Серия Пакета TO-220 | TOSHIBA |
| 50332 | 2SA1306B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Motorola |
| 50333 | 2SA1306B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Motorola |
| 50334 | 2SA1306B | 1.5; 200В; 20W; кремния PNP эпитаксиальный тип stransistor. Для усилителей мощности приложений, усилитель каскад приложений | TOSHIBA |
| 50335 | 2SA1307 | УСИЛИТЕЛЯ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(POWER PNP ОЕ
ОТКЛОНЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЕРТИКАЛЬНОЕ) | Wing Shing Computer Components |
| 50336 | 2SA1309 | Транзистор - Тип кремния PNP Эпитаксиальные Плоскостные | Panasonic |
| 50337 | 2SA1309A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 50338 | 2SA1310 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 50339 | 2SA1312 | Применения усилителя шума тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct)
низкие | TOSHIBA |
| 50340 | 2SA1313 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя силы тональнозвуковой частоты типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) низкие переключая
применения | TOSHIBA |
| 50341 | 2SA1314 | Применений вспышки строба типа кремния PNP
транзистора применения силы эпитаксиальных (процесса pct)
тональнозвуковые | TOSHIBA |
| 50342 | 2SA1315 | Применения усилителя силы типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) приводят применения в
действие переключения | TOSHIBA |
| 50343 | 2SA1316 | Тип кремния PNP транзистора эпитаксиальный
(процесс pct) для применений усилителя низкого шума
тональнозвуковых и порекомендовано для первых этапов усилителей
MC головных | TOSHIBA |
| 50344 | 2SA1317 | Транзисторов Кремния PNP/NPN Применения Водителя
Эпитаксиальных Плоскостных Высок-V настоящее время | SANYO |
| 50345 | 2SA1318 | Применения Af Ампера | SANYO |
| 50346 | 2SA1318R | PNP транзистор для AF усиливает приложений, 60 В, 0,2 А | SANYO |
| 50347 | 2SA1318S | PNP транзистор для AF усиливает приложений, 60 В, 0,2 А | SANYO |
| 50348 | 2SA1318T | PNP транзистор для AF усиливает приложений, 60 В, 0,2 А | SANYO |
| 50349 | 2SA1318U | PNP транзистор для AF усиливает приложений, 60 В, 0,2 А | SANYO |
| 50350 | 2SA1319 | Применения Переключения Высок-Napr4jeni4 тока | SANYO |
| 50351 | 2SA1320 | Применения выхода chroma qvetnogo ТВ
применений переключения типа кремния PNP транзистора втройне
отраженные (процесса pct) высоковольтные | TOSHIBA |
| 50352 | 2SA1321 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА
ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННОЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКОВОЛЬТНОЕ, ПРИМЕНЕНИЯ
ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВ. | TOSHIBA |
| 50353 | 2SA1323 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - усилители и другие Высок-Castoty | Panasonic |
| 50354 | 2SA1327A | Применений вспышки строба типа кремния PNP
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) тональнозвуковые | TOSHIBA |
| 50355 | 2SA1328 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 50356 | 2SA1328 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 50357 | 2SA1329 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 50358 | 2SA1329 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 50359 | 2SA1330 | ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО
ТРАНЗИСТОРА УСИЛИТЕЛЯ И КРЕМНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ PNP МИНИАЯ | NEC |
| 50360 | 2SA1330-L | Транзистор кремния | NEC |
| | | |
