| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 50961 | 2SA1891 | Применения усилителя силы типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) приводят применения в
действие переключения | TOSHIBA |
| 50962 | 2SA1892 | Применения усилителя силы типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) приводят применения в
действие переключения | TOSHIBA |
| 50963 | 2SA1893 | ПРИМЕНЕНИЙ ВСПЫШКИ СТРОБА ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ (ПРОЦЕССА
PCT) СРЕДСТВ | TOSHIBA |
| 50964 | 2SA1896 | Конвертер Транзистора DC/DC Кремния PNP
Эпитаксиальный Плоскостной, Применения Водителя Мотора | SANYO |
| 50965 | 2SA1897 | 20 в, 5 а, транзистор напряжения тока сатурации
PNP ультра-nizki1 | NEC |
| 50966 | 2SA1898 | Применение Конвертера Транзистора DC/DC Кремния
PNP Эпитаксиальное Плоскостное | SANYO |
| 50967 | 2SA1899 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ЭТАПА УСИЛИТЕЛЯ И ВОДИТЕЛЯ
СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА
PCT) | TOSHIBA |
| 50968 | 2SA1900 | Транзисторы > Средств Сила Двухполярное
Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
| 50969 | 2SA1902 | СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ
КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ
MECHINE | ROHM |
| 50970 | 2SA1902 | СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ
КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ
MECHINE | ROHM |
| 50971 | 2SA1903 | ТРАНЗИСТОРЫ К 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 50972 | 2SA1903 | СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ
КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ
MECHINE | ROHM |
| 50973 | 2SA1903 | ТРАНЗИСТОРЫ К 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 50974 | 2SA1903 | СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ
КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ
MECHINE | ROHM |
| 50975 | 2SA1905 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC | TOSHIBA |
| 50976 | 2SA1907 | Кремний PNP эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и general purpose) | Sanken |
| 50977 | 2SA1908 | Кремний PNP эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и general purpose) | Sanken |
| 50978 | 2SA1909 | Кремний PNP эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и general purpose) | Sanken |
| 50979 | 2SA1923 | Применения Переключения Типа Кремния PNP
Транзистора Втройне Отраженные Высоковольтные | TOSHIBA |
| 50980 | 2SA1924 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | TOSHIBA |
| 50981 | 2SA1925 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | TOSHIBA |
| 50982 | 2SA1926 | Применения усилителя силы типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) приводят применения в
действие переключения | TOSHIBA |
| 50983 | 2SA1928 | КРЕМНИЙ PNP УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОР | Isahaya Electronics Corporation |
| 50984 | 2SA1928 | КРЕМНИЙ PNP УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОР | Isahaya Electronics Corporation |
| 50985 | 2SA1930 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ЭТАПА УСИЛИТЕЛЯ И ВОДИТЕЛЯ
СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА
PCT) | TOSHIBA |
| 50986 | 2SA1932 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ЭТАПА УСИЛИТЕЛЯ И ВОДИТЕЛЯ
СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА
PCT) | TOSHIBA |
| 50987 | 2SA1933 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC | TOSHIBA |
| 50988 | 2SA1934 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC | TOSHIBA |
| 50989 | 2SA1937 | Применения Переключения Типа Кремния PNP
Транзистора Втройне Отраженные Высоковольтные | TOSHIBA |
| 50990 | 2SA1939 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ. | TOSHIBA |
| 50991 | 2SA1939 | DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO
PNP ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC) | Wing Shing Computer Components |
| 50992 | 2SA1940 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ | TOSHIBA |
| 50993 | 2SA1941 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ | TOSHIBA |
| 50994 | 2SA1942 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ | TOSHIBA |
| 50995 | 2SA1943 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ | TOSHIBA |
| 50996 | 2SA1943 | Pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 50997 | 2SA1943N | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
| 50998 | 2SA1944 | ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 50999 | 2SA1944 | ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 51000 | 2SA1945 | ДЛЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ
ТИПА КРЕМНИЯ PNP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| | | |
