| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 54321 | 2SC3552 | ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL Кремния
Эпитаксиальное Плоскостное) | Wing Shing Computer Components |
| 54322 | 2SC3553 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 54323 | 2SC3553 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 54324 | 2SC3554 | СИЛЫ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ NPN ПРЕССФОРМА
ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ МИНИАЯ | NEC |
| 54325 | 2SC3554-T1 | Транзистор кремния | NEC |
| 54326 | 2SC3554-T2 | Транзистор кремния | NEC |
| 54327 | 2SC3559 | 3А; 30W; V (генеральный директор): 800V; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 54328 | 2SC3560 | 2А; 20W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 54329 | 2SC3561 | 2А; 20W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 54330 | 2SC3562 | 10А; 40W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 54331 | 2SC3563 | 10А; 40W; V (генеральный директор): 450V; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 54332 | 2SC3567 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | NEC |
| 54333 | 2SC3568 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | NEC |
| 54334 | 2SC3569 | Транзистор кремния | NEC |
| 54335 | 2SC3571 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | NEC |
| 54336 | 2SC3572 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | NEC |
| 54337 | 2SC3572 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | NEC |
| 54338 | 2SC3572 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | NEC |
| 54339 | 2SC3576 | Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального
плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli
Низк-Castoty | SANYO |
| 54340 | 2SC3580 | 900 МВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 20V VCEO, 700mA Ic, от 150 до 800 HFE. Дополнительные 2SA1398 | Isahaya Electronics Corporation |
| 54341 | 2SC3581 | 900 МВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 400 мА Ic, от 90 до 500 HFE. Дополнительные 2SA1399 | Isahaya Electronics Corporation |
| 54342 | 2SC3582 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 54343 | 2SC3582-T | Для амплификации микроволновой печью и низким уровнем шума. | NEC |
| 54344 | 2SC3583 | КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 54345 | 2SC3583-L | Для амплификации микроволновой печью и низким уровнем шума. | NEC |
| 54346 | 2SC3583-T1B | Для амплификации микроволновой печью и низким уровнем шума. | NEC |
| 54347 | 2SC3583-T2B | Для амплификации микроволновой печью и низким уровнем шума. | NEC |
| 54348 | 2SC3585 | КРЕМНИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ TRANSISOR УСИЛИТЕЛЯ
NPN ШУМА МИКРОВОЛНЫ НИЗКИЙ | NEC |
| 54349 | 2SC3585-L | Для амплификации микроволновой печью и низким уровнем шума. | NEC |
| 54350 | 2SC3585-T1B | Для амплификации микроволновой печью и низким уровнем шума. | NEC |
| 54351 | 2SC3585-T2B | Для амплификации микроволновой печью и низким уровнем шума. | NEC |
| 54352 | 2SC3587 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISE | NEC |
| 54353 | 2SC3588 | ТРАНЗИСТОР ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ MP-3 КРЕМНИЯ
NPN | NEC |
| 54354 | 2SC3588-Z | ТРАНЗИСТОР ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ MP-3 КРЕМНИЯ
NPN | NEC |
| 54355 | 2SC3591 | Применения Выхода Отклонения High-Definition
Индикации Crt Горизонтальные | SANYO |
| 54356 | 2SC3595 | Индикации Crt Ультравысок-Opredeleni4
Транзистора Кремния NPN Применения Выхода Эпитаксиальной
Плоскостной Видео- | SANYO |
| 54357 | 2SC3596 | Индикации Crt Транзисторов Кремния NPN
Применения Выхода Эпитаксиальной Плоскостной
Ul6travysoko1-Difinition Видео- | SANYO |
| 54358 | 2SC3597 | Индикации Crt Транзисторов Кремния NPN
Применения Выхода Эпитаксиальной Плоскостной
Ul6travysoko1-Difinition Видео- | SANYO |
| 54359 | 2SC3598 | Индикации Crt Транзисторов Кремния NPN
Применения Выхода Эпитаксиальной Плоскостной
Ul6travysoko1-Difinition Видео- | SANYO |
| 54360 | 2SC3599 | Индикации Crt Транзисторов Кремния NPN
Применения Выхода Эпитаксиальной Плоскостной
Ul6travysoko1-Difinition Видео- | SANYO |
| | | |
