| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 567601 | IRF250 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567602 | IRF250 | 30A/ 200V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.085 Омов | Intersil |
| 567603 | IRF250 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567604 | IRF250 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 567605 | IRF250SMD | MOSFET СИЛЫ N.CHANNEL | SemeLAB |
| 567606 | IRF251 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567607 | IRF251 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 567608 | IRF251 | 25A и 30A, 150V и 200V, 0,085 и 0,120 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567609 | IRF252 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567610 | IRF252 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
| 567611 | IRF252 | 25A и 30A, 150V и 200V, 0,085 и 0,120 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567612 | IRF253 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567613 | IRF253 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
| 567614 | IRF253 | 25A и 30A, 150V и 200V, 0,085 и 0,120 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567615 | IRF2804 | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567616 | IRF2804L | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567617 | IRF2804S | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567618 | IRF2804S-7P | АВТОМОБИЛЬНЫЙ MOSFET | International Rectifier |
| 567619 | IRF2805 | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567620 | IRF2805L | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567621 | IRF2805S | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
| 567622 | IRF2807 | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567623 | IRF2807L | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567624 | IRF2807PBF | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567625 | IRF2807S | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567626 | IRF2807STRL | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567627 | IRF2807STRL-111 | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567628 | IRF2807STRR | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567629 | IRF2807Z | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567630 | IRF2807ZL | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567631 | IRF2807ZS | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2Pak | International Rectifier |
| 567632 | IRF2907S | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567633 | IRF2907Z | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567634 | IRF2907ZL | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567635 | IRF2907ZS | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567636 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567637 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567638 | IRF300 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567639 | IRF300 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567640 | IRF3000 | 300V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| | | |
