Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
568241 | IRF630SPBF | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568242 | IRF630ST4 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FP | ST Microelectronics |
568243 | IRF630STRL | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568244 | IRF630STRR | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568245 | IRF631 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568246 | IRF631 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
568247 | IRF632 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568248 | IRF632 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
568249 | IRF633 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568250 | IRF633 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
568251 | IRF634 | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38 | ST Microelectronics |
568252 | IRF634 | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568253 | IRF634 | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38 | SGS Thomson Microelectronics |
568254 | IRF634 | Предварительный Mosfet Силы | Fairchild Semiconductor |
568255 | IRF634A | Предварительный Mosfet Силы | Fairchild Semiconductor |
568256 | IRF634B | Mosfet Н-Kanala 250V | Fairchild Semiconductor |
568257 | IRF634B_FP001 | 250V Н-Kanal B-FET/zamena IRF634 &
IRF634ЈA | Fairchild Semiconductor |
568258 | IRF634FP | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38 | ST Microelectronics |
568259 | IRF634FP | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38 | SGS Thomson Microelectronics |
568260 | IRF634N | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568261 | IRF634NL | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
568262 | IRF634NS | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568263 | IRF634PBF | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568264 | IRF634S | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568265 | IRF634STRL | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568266 | IRF634STRR | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568267 | IRF640 | транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanala | Philips |
568268 | IRF640 | 18ЈA, 200V, 0.180 Ома, MOSFETs Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568269 | IRF640 | N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET
ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
568270 | IRF640 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568271 | IRF640 | Н - КАНАЛ 200V - 0.150Ohm - Mosfet
ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
568272 | IRF640 | N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET
ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
568273 | IRF640 | УСТАРЕЛО - Мощность полевой транзистор | ON Semiconductor |
568274 | IRF640 | 18А, 200В, 0,180 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
568275 | IRF640-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы | ON Semiconductor |
568276 | IRF640A | Предварительный Mosfet Силы | Fairchild Semiconductor |
568277 | IRF640B | Mosfet Н-Kanala 200V | Fairchild Semiconductor |
568278 | IRF640BTSTU_FP001 | 200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF640 &
IRF640A | Fairchild Semiconductor |
568279 | IRF640B_FP001 | 200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF640 &
IRF640A | Fairchild Semiconductor |
568280 | IRF640FP | N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET
ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| | | |