| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 568921 | IRF841 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ СТРОБА КРЕМНИЯ
TMOS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568922 | IRF841 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568923 | IRF841 | ТРАНЗИСТОРЫ N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568924 | IRF841 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568925 | IRF841 | N-канальный МОП ПТ, 450V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568926 | IRF841F1 | N-канальный МОП ПТ, 450V, 4.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568927 | IRF842 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ СТРОБА КРЕМНИЯ
TMOS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568928 | IRF842 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568929 | IRF842 | ТРАНЗИСТОРЫ N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568930 | IRF843 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ СТРОБА КРЕМНИЯ
TMOS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568931 | IRF843 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568932 | IRF843 | ТРАНЗИСТОРЫ N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568933 | IRF8910 | 20V удваивают mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| 568934 | IRF8915 | 20V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| 568935 | IRF9130 | -100V определяют mosfet П-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 568936 | IRF9130 | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | SemeLAB |
| 568937 | IRF9130 | 12ЈA/ -100V/ Mosfet Силы П-Kanala
0.30 Омов | Intersil |
| 568938 | IRF9130 | MOSFETS СИЛЫ P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568939 | IRF9130SMD | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ
HI.REL | SemeLAB |
| 568940 | IRF9131 | MOSFETS СИЛЫ P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568941 | IRF9131 | -10a И -12A, -80V и -100V, 0,30 и 0,40 Ом, P-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 568942 | IRF9132 | MOSFETS СИЛЫ P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568943 | IRF9132 | -10a И -12A, -80V и -100V, 0,30 и 0,40 Ом, P-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 568944 | IRF9133 | MOSFETS СИЛЫ P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568945 | IRF9133 | -10a И -12A, -80V и -100V, 0,30 и 0,40 Ом, P-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 568946 | IRF9140 | -100V определяют mosfet П-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 568947 | IRF9140 | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | SemeLAB |
| 568948 | IRF9140 | 19A/ -100V/ Mosfet Силы П-Kanala
0.200 Омов | Intersil |
| 568949 | IRF9140 | 100 В, мощность MOSFET P-канал | Samsung Electronic |
| 568950 | IRF9141 | -19A И -15A, -80V и -100V, 0,20 и 0,30 Ом, P-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 568951 | IRF9141 | 60 V, мощность MOSFET P-канал | Samsung Electronic |
| 568952 | IRF9142 | -19A И -15A, -80V и -100V, 0,20 и 0,30 Ом, P-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 568953 | IRF9142 | 100 В, мощность MOSFET P-канал | Samsung Electronic |
| 568954 | IRF9143 | -19A И -15A, -80V и -100V, 0,20 и 0,30 Ом, P-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 568955 | IRF9143 | 60 V, мощность MOSFET P-канал | Samsung Electronic |
| 568956 | IRF9150 | Mosfet Канала П | Microsemi |
| 568957 | IRF9150 | 25ЈA/ -100V/ Mosfet Силы П-Kanala
0.150 Омов | Intersil |
| 568958 | IRF9151 | -25A, -80V И -100V, 0,150 Ом, P-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 568959 | IRF9230 | -200V определяют mosfet П-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 568960 | IRF9230 | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | SemeLAB |
| | | |
