| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 569241 | IRFC350 | Серия Пересеченности Режима Повышения Н-Kanala
Высокая | IXYS Corporation |
| 569242 | IRFC350 | Серия Пересеченности Режима Повышения Н-Kanala
Высокая | IXYS Corporation |
| 569243 | IRFC450 | ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ПЛАШКА MOSFET СИЛЫ | IXYS Corporation |
| 569244 | IRFC450 | ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ПЛАШКА MOSFET СИЛЫ | IXYS Corporation |
| 569245 | IRFD014 | 60V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569246 | IRFD020 | Транзистор Режима Повышения Канала Н | Vishay |
| 569247 | IRFD024 | 60V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569248 | IRFD110 | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569249 | IRFD110 | 1A, 100V, 0.600 Ом, N-канальный Мощность MOSFET | Intersil |
| 569250 | IRFD112 | Мощность MOSFET мощностью полевой транзистор. | General Electric Solid State |
| 569251 | IRFD113 | Мощность MOSFET мощностью полевой транзистор. | General Electric Solid State |
| 569252 | IRFD120 | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569253 | IRFD120 | 1.3ЈA/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.300 Омов | Intersil |
| 569254 | IRFD1Z0 | ом 0.4ЈA и 0.5ЈA, 60V и 100V,
2.4 и 3.2, mOSFETs силы Н-Kanala | Intersil |
| 569255 | IRFD1Z0 | ом 0.4ЈA и 0.5ЈA, 60V и 100V,
2.4 и 3.2, mOSFETs силы Н-Kanala | Intersil |
| 569256 | IRFD1Z1 | ом 0.4ЈA и 0.5ЈA, 60V и 100V,
2.4 и 3.2, mOSFETs силы Н-Kanala | Intersil |
| 569257 | IRFD1Z1 | ом 0.4ЈA и 0.5ЈA, 60V и 100V,
2.4 и 3.2, mOSFETs силы Н-Kanala | Intersil |
| 569258 | IRFD1Z2 | 0.4ЈA и 0.5ЈA/ 60V и 100V/
mOSFETs силы Н-Kanala 2.4 и 3.2 омов | Intersil |
| 569259 | IRFD1Z3 | 0.4ЈA и 0.5ЈA/ 60V и 100V/
mOSFETs силы Н-Kanala 2.4 и 3.2 омов | Intersil |
| 569260 | IRFD210 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569261 | IRFD210 | 0.6ЈA/ 200V/ Mosfet Силы Н-Kanala
1.500 Омов | Intersil |
| 569262 | IRFD213 | (IRFD210 - IRFD213) MOSFETs
Силы Канала Н | Harris Semiconductor |
| 569263 | IRFD213 | (IRFD210) Транзистор Влияния Поля Двойное
Встроенное Pachage TMOS | Motorola |
| 569264 | IRFD213 | (IRFD210) Транзисторы Режима Повышения
Канала Н | Vishay |
| 569265 | IRFD214 | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569266 | IRFD220 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569267 | IRFD220 | 0.8ЈA/ 200V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.800 Омов | Fairchild Semiconductor |
| 569268 | IRFD220 | 0.8ЈA/ 200V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.800 Омов | Intersil |
| 569269 | IRFD224 | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569270 | IRFD310 | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569271 | IRFD310 | 0.4ЈA/ 400V/ Mosfet Силы Н-Kanala
3.600 Омов | Intersil |
| 569272 | IRFD320 | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569273 | IRFD320 | 0.5ЈA/ 400V/ Mosfet Силы Н-Kanala
1.800 Омов | Intersil |
| 569274 | IRFD420 | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569275 | IRFD9014 | -60V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569276 | IRFD9020 | КАНАЛ HEXDIP П ТРАНЗИСТОРОВ HEXFET | International Rectifier |
| 569277 | IRFD9022 | КАНАЛ HEXDIP П ТРАНЗИСТОРОВ HEXFET | International Rectifier |
| 569278 | IRFD9024 | -60V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569279 | IRFD9110 | -100V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете HEXDIP | International Rectifier |
| 569280 | IRFD9110 | 0.7A/ 100V/ Mosfet Силы П-Kanala
1.200 Омов | Fairchild Semiconductor |
| | | |
