Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
59721 | 2SJ621-T2B | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59722 | 2SJ624 | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59723 | 2SJ624-T1B | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59724 | 2SJ624-T2B | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59725 | 2SJ625 | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59726 | 2SJ625-T1B | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59727 | 2SJ625-T2B | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59728 | 2SJ626 | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59729 | 2SJ626-T1B | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59730 | 2SJ626-T2B | Fet mos типа повышения Pch | NEC |
59731 | 2SJ628 | MOSFETs Результата деятельности средств массовой
информации | SANYO |
59732 | 2SJ632 | MOSFETs Результата деятельности средств массовой
информации | SANYO |
59733 | 2SJ633 | MOSFETs Результата деятельности средств массовой
информации | SANYO |
59734 | 2SJ634 | ТРАНЗИСТОР КОНВЕРТЕРА DC DC/ | SANYO |
59735 | 2SJ636 | MOSFETs Результата деятельности средств массовой
информации | SANYO |
59736 | 2SJ637 | DC/DC ДЛЯ КОНВЕРТЕРА | SANYO |
59737 | 2SJ643 | MOSFETs Результата деятельности средств массовой
информации | SANYO |
59738 | 2SJ645 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ Mos КАНАЛА П | SANYO |
59739 | 2SJ647 | Fet mos повышения П-Kanala для
переключателя нагрузки | NEC |
59740 | 2SJ648 | Fet mos повышения П-Kanala для
переключателя нагрузки | NEC |
59741 | 2SJ650 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59742 | 2SJ651 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59743 | 2SJ652 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59744 | 2SJ652 | P-канальный Power MOSFET,-60V,-28А, 38mOhm, TO-220F-3SG | ON Semiconductor |
59745 | 2SJ653 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59746 | 2SJ654 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59747 | 2SJ655 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59748 | 2SJ656 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59749 | 2SJ656 | Переключение устройства | ON Semiconductor |
59750 | 2SJ657 | MOSFETs Наивысшийа уровень выработки | SANYO |
59751 | 2SJ658 | MOSFETs Результата деятельности средств массовой
информации | SANYO |
59752 | 2SJ668 | Мощность MOSFET (P-канальный один) | TOSHIBA |
59753 | 2SJ669 | Мощность MOSFET (P-канальный один) | TOSHIBA |
59754 | 2SJ676 | Мощность MOSFET (P-канальный один) | TOSHIBA |
59755 | 2SJ680 | Тип Mos П-Kanala Транзистора/Кремния Влияния
Поля | TOSHIBA |
59756 | 2SJ681 | Мощность MOSFET (P-канальный один) | TOSHIBA |
59757 | 2SJ74 | Применения Усилителя Низкого Шума Типа Соединения
Канала П Кремния Транзистора Влияния Поля Тональнозвуковые | TOSHIBA |
59758 | 2SJ75 | Транзистор 2SJ75 П-Kanala КРЕМНИЯ | TOSHIBA |
59759 | 2SJ75 | Транзистор 2SJ75 П-Kanala КРЕМНИЯ | TOSHIBA |
59760 | 2SJ76 | Fet Mos П-Kanala Кремния | Hitachi Semiconductor |
| | | |