| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 63201 | 2SK56 | Fet Соединения 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63202 | 2SK56 | Fet Соединения 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63203 | 2SK560 | Переключение Силы Низкой частотности Fet Mos
Н-Kanala Кремния | Renesas |
| 63204 | 2SK578 | ИЗ ЦЕПИ ЛИНИИ BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63205 | 2SK578 | ИЗ ЦЕПИ ЛИНИИ BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63206 | 2SK579 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63207 | 2SK579 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63208 | 2SK579L | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63209 | 2SK579L | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63210 | 2SK579S | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63211 | 2SK579S | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63212 | 2SK58 | Fet Типа Соединения Н-Kanala Кремния Двойной
(Польза ДЧ-к-DC-to-VHF, Низкий Шум) | SONY |
| 63213 | 2SK58 | Fet Типа Соединения Н-Kanala Кремния Двойной
(Польза ДЧ-к-DC-to-VHF, Низкий Шум) | SONY |
| 63214 | 2SK580 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63215 | 2SK580 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63216 | 2SK580L | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63217 | 2SK580L | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63218 | 2SK580S | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63219 | 2SK580S | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ | Hitachi Semiconductor |
| 63220 | 2SK583 | Применения Переключателя Mosfet Кремния Повышения
Н-Kanala Сетноые-аналогов | SANYO |
| 63221 | 2SK591 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS
N-CHANNEL | NEC |
| 63222 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63223 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63224 | 2SK596 | ПРИМЕНЕНИЯ МИКРОФОНА КОНДЕНСАТОРА | SANYO |
| 63225 | 2SK596 | ПРИМЕНЕНИЯ МИКРОФОНА КОНДЕНСАТОРА | SANYO |
| 63226 | 2SK596A | V (ГРО): -20 В; Я (г): 10 мА; 100 мВт; Приложение микрофон конденсатора | SANYO |
| 63227 | 2SK596B | V (ГРО): -20 В; Я (г): 10 мА; 100 мВт; Приложение микрофон конденсатора | SANYO |
| 63228 | 2SK596C | V (ГРО): -20 В; Я (г): 10 мА; 100 мВт; Приложение микрофон конденсатора | SANYO |
| 63229 | 2SK596D | V (ГРО): -20 В; Я (г): 10 мА; 100 мВт; Приложение микрофон конденсатора | SANYO |
| 63230 | 2SK596E | V (ГРО): -20 В; Я (г): 10 мА; 100 мВт; Приложение микрофон конденсатора | SANYO |
| 63231 | 2SK601 | Small-signal приспособление - small-signal
fETs - fETs mos | Panasonic |
| 63232 | 2SK606 | Silicon N Channel Junction Type | Panasonic |
| 63233 | 2SK608 | Silicon N Channel Junction Type | Panasonic |
| 63234 | 2SK611 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS | NEC |
| 63235 | 2SK611 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS | NEC |
| 63236 | 2SK612 | Транзисторы Силы Влияния Поля Mos | Unknow |
| 63237 | 2SK612 | Транзисторы Силы Влияния Поля Mos | Unknow |
| 63238 | 2SK612 | V (DSS): 100V; 20W; быстрое переключение N-канальный Мощность кремния MOS FET. Для промышленного использования | NEC |
| 63239 | 2SK612-Z | Транзисторы Силы Влияния Поля Mos | Unknow |
| 63240 | 2SK612-Z | Транзисторы Силы Влияния Поля Mos | Unknow |
| | | |
