|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 23212 | 23213 | 23214 | 23215 | 23216 | 23217 | 23218 | 23219 | 23220 | 23221 | 23222 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
928641NE6500379СИЛА GaAs MESFET 3W Л/S-BANDNEC
928642NE6500379A3W Л, СИЛА GaAs MESFET S-BANDNEC
928643NE6500379A-T13W Л, СИЛА GaAs MESFET S-BANDNEC
928644NE65004964 Ш Л, Fet Fet N-CHANNEL GaAs MES GaAs СИЛЫ S-BANDNEC
928645NE650103MNECS 10 СИЛА GaAs MESFET Ш Л & S-BANDCalifornia Eastern Laboratories
928646NE650103MNECS 10 СИЛА GaAs MESFET Ш Л & S-BANDCalifornia Eastern Laboratories
928647NE650103M10 Вт, L & S-диапазона мощности GaAs MESFET.NEC
928648NE650107710 Ш Л, Fet Fet N-CHANNEL GaAs MES GaAs СИЛЫ S-BANDNEC
928649NE650R279A0.2 Ш Л, Fet GaAs MES СИЛЫ S-BANDNEC
928650NE650R279A-T10.2 Ш Л, Fet GaAs MES СИЛЫ S-BANDNEC
928651NE650R479A0.4 Ш Л, Fet GaAs MES СИЛЫ S-BANDNEC
928652NE650R479A-T10.4 Ш Л, Fet GaAs MES СИЛЫ S-BANDNEC
928653NE65101791 СИЛА GaAs HJ-FET Ш L-BANDNEC
928654NE6510179A1 СИЛА GaAs HJ-FET Ш L-BANDNEC
928655NE6510179A-T11 СИЛА GaAs HJ-FET Ш L-BANDNEC
928656NE6510379A3 СИЛА GaAs HJ-FET Ш L-BANDNEC
928657NE6510379A-T13 СИЛА GaAs HJ-FET Ш L-BANDNEC
928658NE651R479A0.4 СИЛА GaAs HJ-FET Ш L-BANDNEC
928659NE651R479A-T10.4 СИЛА GaAs HJ-FET Ш L-BANDNEC
928660NE661M04ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN ДЛЯ НИЗКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ, НИЗКОГО ШУМА, 4-WTYRE1 ТОНКОГО СУПЕР MINI-MOLD АМПЛИФИКАЦИИ FLAT-LEAD HIGH-GAINNEC
928661NE661M04-T2ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN ДЛЯ НИЗКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ, НИЗКОГО ШУМА, 4-WTYRE1 ТОНКОГО СУПЕР MINI-MOLD АМПЛИФИКАЦИИ FLAT-LEAD HIGH-GAINNEC
928662NE662M04ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPNNEC
928663NE662M04ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPNNEC
928664NE662M04-T2ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPNNEC
928665NE662M04-T2ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPNNEC
928666NE662M16ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPNNEC
928667NE662M16-T3ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPNNEC
928668NE663M04-T2NPN кремния высокой частоты транзистора.NEC
928669NE664M04СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPNNEC
928670NE664M04СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPNNEC
928671NE664M04-T2СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPNNEC
928672NE664M04-T2СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPNNEC
928673NE66719-T1NPN кремния высокой частоты транзистора.NEC
928674NE67400L к Ку-диапазон малошумящий усилитель N-канального GaAs ПТШ. Idss 20 до 120 мА.NEC
928675NE67483BL к Ку-диапазон малошумящий усилитель N-канального GaAs ПТШ. Idss 20 до 120 мА.NEC
928676NE677M04ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPN NECs СРЕДСТВCalifornia Eastern Laboratories
928677NE677M04ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPN NECs СРЕДСТВCalifornia Eastern Laboratories
928678NE677M04-T2ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPN NECs СРЕДСТВCalifornia Eastern Laboratories
928679NE677M04-T2ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ СИЛЫ NPN NECs СРЕДСТВCalifornia Eastern Laboratories
928680NE677M04-T2Средняя мощность NPN кремния высокой частоты транзистора.NEC
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 23212 | 23213 | 23214 | 23215 | 23216 | 23217 | 23218 | 23219 | 23220 | 23221 | 23222 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com