| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 934641 | NMC27C32BQ200 | Конфигурация памяти 4Kx8 памяти типа EPROM Толерантность Vcc + 10% Допустимое отклонение Vcc - 10% | Fairchild Semiconductor |
| 934642 | NMC27C32BQ250 | 32,768-Bit (4096 х 8) cmos
EPROM | National Semiconductor |
| 934643 | NMC27C32BQE200 | 32,768-Bit (4096 х 8) cmos
EPROM | National Semiconductor |
| 934644 | NMC27C32BQE250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 32 768-бит (4k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934645 | NMC27C512AN15 | 150 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934646 | NMC27C512AN150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934647 | NMC27C512AN17 | 170 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934648 | NMC27C512AN170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934649 | NMC27C512AN20 | 200 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934650 | NMC27C512AN200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934651 | NMC27C512AN25 | 250 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934652 | NMC27C512AN250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934653 | NMC27C512ANE15 | 150 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934654 | NMC27C512ANE150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934655 | NMC27C512ANE17 | 170 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934656 | NMC27C512ANE170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934657 | NMC27C512ANE20 | 200 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934658 | NMC27C512ANE200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934659 | NMC27C512ANE25 | 250 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934660 | NMC27C512ANE250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934661 | NMC27C512AQ15 | 150 нс, VCC = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934662 | NMC27C512AQ150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934663 | NMC27C512AQ17 | 170 нс, VCC = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934664 | NMC27C512AQ170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934665 | NMC27C512AQ20 | 200 нс, VCC = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934666 | NMC27C512AQ200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934667 | NMC27C512AQ25 | 250 нс, VCC = 5В +/- 5%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934668 | NMC27C512AQ250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934669 | NMC27C512AQE150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934670 | NMC27C512AQE170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934671 | NMC27C512AQE200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934672 | NMC27C512AQE250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934673 | NMC27C512AQM150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934674 | NMC27C512AQM170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934675 | NMC27C512AQM200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934676 | NMC27C512AQM250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 524 288-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934677 | NMC27C64 | 65,536-Bit (8192 х 8) prom
cmos | National Semiconductor |
| 934678 | NMC27C64N150 | 64Кбит (8192 х 8) CMOS EPROM [Жизнь времени покупка] | Fairchild Semiconductor |
| 934679 | NMC27C64N150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 65 536-бит (8k х 8) один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934680 | NMC27C64N200 | 64Кбит (8192 х 8) CMOS EPROM [Жизнь времени покупка] | Fairchild Semiconductor |
| | | |
