|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 2373 | 2374 | 2375 | 2376 | 2377 | 2378 | 2379 | 2380 | 2381 | 2382 | 2383 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
950815962H9865202VYAНизкое напряжение четырехъядерных приемник: SMD. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Всего рад доза 1E6 (Si).Aeroflex Circuit Technology
950825962H9865202VYCНизкое напряжение четырехъядерных приемник: SMD. QML класс В. Ведущий золото отделка. Всего рад доза 1E6 (Si).Aeroflex Circuit Technology
950835962H9865202VYXНизкое напряжение четырехъядерных приемник: SMD. QML класс В. вариант Ведущий отделка завод. Всего рад доза 1E6 (Si).Aeroflex Circuit Technology
950845962HTBD01QYAНизкое напряжение четырехъядерных приемник со встроенным нагрузочного резистора: SMD. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнAeroflex Circuit Technology
950855962HTBD01QYCНизкое напряжение четырехъядерных приемник со встроенным нагрузочного резистора: SMD. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад дAeroflex Circuit Technology
950865962HTBD01QYXНизкое напряжение четырехъядерных приемник со встроенным нагрузочного резистора: SMD. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. ВсегAeroflex Circuit Technology
950875962HTBD01VYAНизкое напряжение четырехъядерных приемник со встроенным нагрузочного резистора: SMD. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнAeroflex Circuit Technology
950885962HTBD01VYCНизкое напряжение четырехъядерных приемник со встроенным нагрузочного резистора: SMD. Класс В. Ведущий отделка золотом. Всего рад дAeroflex Circuit Technology
950895962HTBD01VYXНизкое напряжение четырехъядерных приемник со встроенным нагрузочного резистора: SMD. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. ВсегAeroflex Circuit Technology
950905962L0053601QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950915962L0053601QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950925962L0053601QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950935962L0053601QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950945962L0053601QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950955962L0053601QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950965962L0053601TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950975962L0053601TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950985962L0053601TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
950995962L0053601TXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951005962L0053601TXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951015962L0053601TXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951025962L0053602QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951035962L0053602QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951045962L0053602QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951055962L0053602QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951065962L0053602QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951075962L0053602QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951085962L0053602TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951095962L0053602TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951105962L0053602TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951115962L0053602TXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951125962L0053602TXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951135962L0053602TXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951145962L0053603QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951155962L0053603QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951165962L0053603QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951175962L0053603QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951185962L0053603QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951195962L0053603QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
951205962L0053603TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 20 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 2373 | 2374 | 2375 | 2376 | 2377 | 2378 | 2379 | 2380 | 2381 | 2382 | 2383 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com