| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 95321 | 5962P9960601QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Миля темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95322 | 5962P9960601QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Миля темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95323 | 5962P9960601TUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95324 | 5962P9960601TUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95325 | 5962P9960601TUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95326 | 5962P9960602QUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 ( | Aeroflex Circuit Technology |
| 95327 | 5962P9960602QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95328 | 5962P9960602QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95329 | 5962P9960602TUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 ( | Aeroflex Circuit Technology |
| 95330 | 5962P9960602TUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95331 | 5962P9960602TUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий вариант отделки factoty. Общая доза 3E4 (30krad (Si)). | Aeroflex Circuit Technology |
| 95332 | 5962P9960701QUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95333 | 5962P9960701QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95334 | 5962P9960701QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95335 | 5962P9960701QXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95336 | 5962P9960701QXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95337 | 5962P9960701QXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95338 | 5962P9960701TUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95339 | 5962P9960701TUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95340 | 5962P9960701TUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95341 | 5962P9960701TXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95342 | 5962P9960701TXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95343 | 5962P9960701TXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95344 | 5962P9960702QUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95345 | 5962P9960702QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95346 | 5962P9960702QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95347 | 5962P9960702QXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95348 | 5962P9960702QXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95349 | 5962P9960702QXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95350 | 5962P9960702TUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95351 | 5962P9960702TUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95352 | 5962P9960702TUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95353 | 5962P9960702TXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95354 | 5962P9960702TXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95355 | 5962P9960702TXX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95356 | 5962P9960703QUA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95357 | 5962P9960703QUC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95358 | 5962P9960703QUX | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95359 | 5962P9960703QXA | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| 95360 | 5962P9960703QXC | 512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad) (Si) | Aeroflex Circuit Technology |
| | | |
