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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM avec PLL et registre basés sur 128Mx4 empilé, 4Banks 8K réf., 3.3V SDRAMs avec la présence périodique Detec de SPDSamsung Electronic
2128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM avec PLL et registre basé sur 128Mx4 empilé, 4Banks 8K réf., 3.3V SDRAMs avec la fiche technique de SPDSamsung Electronic
3128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM avec PLL et registre basé sur 128Mx4 empilé, 4Banks 8K réf., 3.3V SDRAMs avec la fiche technique de SPDSamsung Electronic
416L102DA4MODULE D'AFFICHAGE FLUORESCENT DE VIDESamsung Electronic
516T202DA1JMODULE D'AFFICHAGE FLUORESCENT DE VIDESamsung Electronic
620S207DA4MODULE D'AFFICHAGE FLUORESCENT DE VIDESamsung Electronic
7256MBDDRSDRAMDDRSDRAMSpecificationVersion0.3Samsung Electronic
82N3903transistor épitaxial de silicium de npnSamsung Electronic
92N3905TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
102N4123TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
112N4124TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
122N4125TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
132N4126TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
142N5086TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
152N5089TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
162N5210TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
172N5400TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
182N5401TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
192N5550TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
202N6427TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM DARLINGTON DE NPNSamsung Electronic
212N6428TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
222N6428ATRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
232N6516TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
242N6517TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
252N6518TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
262N6519TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
272N6520TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
2862256basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
29B772PNP (COMMUTATION À VITESSE RÉDUITE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE)Samsung Electronic
30BCW30TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
31BCW32TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
32BCW33TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
33BCW60ATRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
34BCW60BTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
35BCW60CTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
36BCW60DTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
37BCW61ATRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
38BCW61BTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
39BCW61CTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
40BCW61DTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
41BCW69TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
42BCW70TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
43BCW71TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
44BCW72TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
45BCX70GTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
46BCX70HTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
47BCX70JTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
48BCX70KTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
49BCX71GTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
50BCX71HTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
51BCX71JTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
52BCX71KTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
53BL8531H12 Bit 10MSPS CDASamsung Electronic
54BL8531H-ADC12 Bit 10MSPS CDASamsung Electronic
55BU406400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de siliciumSamsung Electronic
56BU406H400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de siliciumSamsung Electronic
57BU407TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
58BU407H330 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de siliciumSamsung Electronic



59BU408400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de siliciumSamsung Electronic
60BU806400 V, 8 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
61BU807400 V, 8 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
62C9658MICROCONTRÔLEURSamsung Electronic
63CL10B224Condensateur En céramique MulticoucheSamsung Electronic
64CL21C220Condensateur En céramique MulticoucheSamsung Electronic
65CM-1429Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
66CM-1829Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
67CM14198-2 Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
68CM14298-2 Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
69CM18198-2 Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
70CM18298-2 Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
71CM1829-1429Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
72CMOS DRAMMode d'cEdo, x4 et diagramme de synchronisation du dispositif x8Samsung Electronic
73CMOS SDRAMOpérations De Dispositif de CMOS SDRAMSamsung Electronic
74CW5322XSDH104Samsung Electronic
75DA22497EMBOUT AVANT DE FMSamsung Electronic
76DA22497DEMBOUT AVANT DE FMSamsung Electronic
77DDRSDRAMVersion 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
78DDRSDRAM1111Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
79DIRECT RDRAMOpération Directe De Dispositif de RDRAM™Samsung Electronic
80DS_K1S161611Amémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 1Mx16Samsung Electronic
81DS_K1S16161CAmémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 1Mx16Samsung Electronic
82DS_K4D263238Dle 1M X 32Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnelsSamsung Electronic
83DS_K4S161622D1M X 16 SDRAMSamsung Electronic
84DS_K4S161622E1M X 16 SDRAMSamsung Electronic
85DS_K6F1016U4CRAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 64K x16 etde basse tension pleine CMOSSamsung Electronic
86DS_K6F2008U2ERAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOSSamsung Electronic
87DS_K6F2016U4ERAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOSSamsung Electronic
88DS_K6F3216T6MRAM de charge statique de basse puissance superbe du peu x16 de 2M et de basse tension pleine CMOSSamsung Electronic
89DS_K6F4016U6GRAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx16 et de basse tension pleine CMOSSamsung Electronic
90DS_K6F8016U6BRAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOSSamsung Electronic
91DS_K6F8016U6CRAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOSSamsung Electronic
92DS_K6X8008C2BRAM de charge statique de basse puissance du peu 1Mx8 et de basse tension CMOSSamsung Electronic
93DS_K6X8008TBNCMOS SRAMSamsung Electronic
94DS_K6X8016C3B64Kx36 Et 64Kx32-Bit Éclat Canalisé Synchrone SRAMSamsung Electronic
95DS_K7A803600B256Kx36Samsung Electronic
96DS_K7B803625B256Kx36 Et 512Kx18-Bit Éclat Synchrone SRAMSamsung Electronic
97DS_K7M323625M1Mx36 Et 2Mx18 Couler-À travers NtRAMSamsung Electronic
98DS_K7M803625B256Kx36 Et 512Kx18-Bit Traversent NtRAMSamsung Electronic
99DS_K7N163601A512Kx36 Et NtRAM Canalisé Par 1Mx18Samsung Electronic
100DS_K7N323601M1Mx36 Et NtRAM Canalisé Par 2Mx18-BitSamsung Electronic

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