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Les fiches techniques ont trouvé :: 10329

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
1	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM avec PLL et registre basés sur 128Mx4 empilé, 4Banks 8K réf., 3.3V SDRAMs avec la présence périodique Detec de SPD	Samsung Electronic
2	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM avec PLL et registre basé sur 128Mx4 empilé, 4Banks 8K réf., 3.3V SDRAMs avec la fiche technique de SPD	Samsung Electronic
3	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM avec PLL et registre basé sur 128Mx4 empilé, 4Banks 8K réf., 3.3V SDRAMs avec la fiche technique de SPD	Samsung Electronic
4	16L102DA4	MODULE D'AFFICHAGE FLUORESCENT DE VIDE	Samsung Electronic
5	16T202DA1J	MODULE D'AFFICHAGE FLUORESCENT DE VIDE	Samsung Electronic
6	20S207DA4	MODULE D'AFFICHAGE FLUORESCENT DE VIDE	Samsung Electronic
7	256MBDDRSDRAM	DDRSDRAMSpecificationVersion0.3	Samsung Electronic
8	2N3903	transistor épitaxial de silicium de npn	Samsung Electronic
9	2N3905	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
10	2N4123	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
11	2N4124	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
12	2N4125	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
13	2N4126	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
14	2N5086	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
15	2N5089	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
16	2N5210	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
17	2N5400	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
18	2N5401	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
19	2N5550	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
20	2N6427	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM DARLINGTON DE NPN	Samsung Electronic
21	2N6428	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
22	2N6428A	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
23	2N6516	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
24	2N6517	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
25	2N6518	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
26	2N6519	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
27	2N6520	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
28	62256	basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8	Samsung Electronic
29	B772	PNP (COMMUTATION À VITESSE RÉDUITE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE)	Samsung Electronic
30	BCW30	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
31	BCW32	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
32	BCW33	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
33	BCW60A	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
34	BCW60B	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
35	BCW60C	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
36	BCW60D	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
37	BCW61A	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
38	BCW61B	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
39	BCW61C	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
40	BCW61D	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
41	BCW69	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
42	BCW70	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
43	BCW71	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
44	BCW72	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
45	BCX70G	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
46	BCX70H	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
47	BCX70J	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
48	BCX70K	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
49	BCX71G	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
50	BCX71H	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
51	BCX71J	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
52	BCX71K	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
53	BL8531H	12 Bit 10MSPS CDA	Samsung Electronic
54	BL8531H-ADC	12 Bit 10MSPS CDA	Samsung Electronic
55	BU406	400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
56	BU406H	400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
57	BU407	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Samsung Electronic
58	BU407H	330 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic

59	BU408	400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
60	BU806	400 V, 8 A, silicium épitaxiale transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
61	BU807	400 V, 8 A, silicium épitaxiale transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
62	C9658	MICROCONTRÔLEUR	Samsung Electronic
63	CL10B224	Condensateur En céramique Multicouche	Samsung Electronic
64	CL21C220	Condensateur En céramique Multicouche	Samsung Electronic
65	CM-1429	Schéma de circuit de Carte	Samsung Electronic
66	CM-1829	Schéma de circuit de Carte	Samsung Electronic
67	CM1419	8-2 Schéma de circuit de Carte	Samsung Electronic
68	CM1429	8-2 Schéma de circuit de Carte	Samsung Electronic
69	CM1819	8-2 Schéma de circuit de Carte	Samsung Electronic
70	CM1829	8-2 Schéma de circuit de Carte	Samsung Electronic
71	CM1829-1429	Schéma de circuit de Carte	Samsung Electronic
72	CMOS DRAM	Mode d'cEdo, x4 et diagramme de synchronisation du dispositif x8	Samsung Electronic
73	CMOS SDRAM	Opérations De Dispositif de CMOS SDRAM	Samsung Electronic
74	CW5322X	SDH104	Samsung Electronic
75	DA22497	EMBOUT AVANT DE FM	Samsung Electronic
76	DA22497D	EMBOUT AVANT DE FM	Samsung Electronic
77	DDRSDRAM	Version 0,61 De Spécifications de DDR SDRAM	Samsung Electronic
78	DDRSDRAM1111	Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAM	Samsung Electronic
79	DIRECT RDRAM	Opération Directe De Dispositif de RDRAM™	Samsung Electronic
80	DS_K1S161611A	mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 1Mx16	Samsung Electronic
81	DS_K1S16161CA	mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 1Mx16	Samsung Electronic
82	DS_K4D263238D	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
83	DS_K4S161622D	1M X 16 SDRAM	Samsung Electronic
84	DS_K4S161622E	1M X 16 SDRAM	Samsung Electronic
85	DS_K6F1016U4C	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 64K x16 etde basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
86	DS_K6F2008U2E	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
87	DS_K6F2016U4E	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
88	DS_K6F3216T6M	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu x16 de 2M et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
89	DS_K6F4016U6G	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
90	DS_K6F8016U6B	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
91	DS_K6F8016U6C	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
92	DS_K6X8008C2B	RAM de charge statique de basse puissance du peu 1Mx8 et de basse tension CMOS	Samsung Electronic
93	DS_K6X8008TBN	CMOS SRAM	Samsung Electronic
94	DS_K6X8016C3B	64Kx36 Et 64Kx32-Bit Éclat Canalisé Synchrone SRAM	Samsung Electronic
95	DS_K7A803600B	256Kx36	Samsung Electronic
96	DS_K7B803625B	256Kx36 Et 512Kx18-Bit Éclat Synchrone SRAM	Samsung Electronic
97	DS_K7M323625M	1Mx36 Et 2Mx18 Couler-À travers NtRAM	Samsung Electronic
98	DS_K7M803625B	256Kx36 Et 512Kx18-Bit Traversent NtRAM	Samsung Electronic
99	DS_K7N163601A	512Kx36 Et NtRAM Canalisé Par 1Mx18	Samsung Electronic
100	DS_K7N323601M	1Mx36 Et NtRAM Canalisé Par 2Mx18-Bit	Samsung Electronic

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