| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 8301 | TC55W800XB7 | 524.288-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 8302 | TC55W800XB8 | 524.288-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 8303 | TC55WD1618FF-133 | 1.048.576-mot PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8304 | TC55WD1618FF-150 | 1.048.576-mot PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8305 | TC55WD1618FF-167 | 1.048.576-mot PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8306 | TC55WD1636FF-133 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8307 | TC55WD1636FF-150 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8308 | TC55WD1636FF-167 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8309 | TC55WD818FF-133 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8310 | TC55WD818FF-150 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8311 | TC55WD818FF-167 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8312 | TC55WD836FF-133 | 262.144-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8313 | TC55WD836FF-150 | 262.144-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8314 | TC55WD836FF-167 | 262.144-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8315 | TC55WDM518AFFN15 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8316 | TC55WDM518AFFN16 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8317 | TC55WDM518AFFN20 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8318 | TC55WDM518AFFN22 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8319 | TC55WDM536AFFN15 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8320 | TC55WDM536AFFN16 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8321 | TC55WDM536AFFN20 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8322 | TC55WDM536AFFN22 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 8323 | TC55YEM216ABXN-55 | 262.144-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 8324 | TC55YEM216ABXN-70 | 262.144-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 8325 | TC57512AD-15 | 150 ns; V (cc): -0,6 à + 7V; 1.5W; 65.536 mots x 8 bits CMOS UV effaçable et programmable électriquement Read Only Memory | TOSHIBA |
| 8326 | TC57512AD-20 | 200 ns; V (cc): -0,6 à + 7V; 1.5W; 65.536 mots x 8 bits CMOS UV effaçable et programmable électriquement Read Only Memory | TOSHIBA |
| 8327 | TC581282A | Non-et E2PROM BITS De 128-MBIT (16M X 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8328 | TC581282A | Non-et E2PROM BITS De 128-MBIT (16M X 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8329 | TC581282AXB | NON-et E2PROM DE 128-mbit (BITS DE × 8 DE 16CM) CMOS | TOSHIBA |
| 8330 | TC58128AFT | Non-et E2PROM BITS de 128-mbit (16M x 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8331 | TC5816BDC | 16 mbit (2m x 8 bits) CMOS NAND Flash EEPROM | TOSHIBA |
| 8332 | TC5816BFT | non-et E2PROM INSTANTANÉ de 16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS | TOSHIBA |
| 8333 | TC5816BFT | non-et E2PROM INSTANTANÉ de 16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS | TOSHIBA |
| 8334 | TC582562AXB | Non-et E2PROM BITS de 256-mbit (32M x 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8335 | TC58256AFT | PROM du non-et E BITS de 256-mbit (32M x 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8336 | TC58256DC | SmartMedia<SUP>TM</SUP > | TOSHIBA |
| 8337 | TC5832DC | non-et E2PROM de 32 MBIT (4M x 8BIT) CMOS | TOSHIBA |
| 8338 | TC5832DC | non-et E2PROM de 32 MBIT (4M x 8BIT) CMOS | TOSHIBA |
| 8339 | TC5832FT | 32 Non-et E2PROM BITS De MBIT (4M X 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8340 | TC5832FT | 32 Non-et E2PROM BITS De MBIT (4M X 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8341 | TC58512FT | Non-et E2PROM BITS de 512-mbit (64M x 8) CMOS | TOSHIBA |
| 8342 | TC58A040 | non-et AUDIO E2PROM de 4 MBIT (4M x 1BITS) CMOS | TOSHIBA |
| 8343 | TC58A040 | non-et AUDIO E2PROM de 4 MBIT (4M x 1BITS) CMOS | TOSHIBA |
| 8344 | TC58A040F | 4 mbit (4M x 1 bits) CMOS audio nand EEPROM | TOSHIBA |
| 8345 | TC58B004FT-10 | 4M (512K x 8 bits) CMOS Mémoire Flash, 100 ns | TOSHIBA |
| 8346 | TC58B004FT-12 | 4M (512K x 8 bits) CMOS Mémoire Flash, 120ns | TOSHIBA |
| 8347 | TC58B004FT-85 | 4M (512K x 8 bits) de mémoire flash CMOS, 85 ns | TOSHIBA |
| 8348 | TC58B160FT-10 | 16 mbit (2m x 8 bits) de mémoire CMOS flash, 100 ns | TOSHIBA |
| 8349 | TC58B160FT-12 | 16 mbit (2m x 8 bits) de mémoire CMOS flash, 120ns | TOSHIBA |
| 8350 | TC58B160FT-85 | 16 mbit (2m x 8 bits) de mémoire flash CMOS, 85 ns | TOSHIBA |
| 8351 | TC58BVG0S3HBAI4 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8352 | TC58BVG0S3HBAI6 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8353 | TC58BVG0S3HTA00 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8354 | TC58BVG0S3HTAI0 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8355 | TC58BVG1S3HBAI4 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8356 | TC58BVG1S3HBAI6 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8357 | TC58BVG1S3HTA00 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8358 | TC58BVG1S3HTAI0 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
| 8359 | TC58BVG2S0HBAI4 | Bénand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
