Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
801 | 200FXH13 | DIODE(highspeedrectifierapplications) | TOSHIBA |
802 | 20DL2C41A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
803 | 20DL2C48A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
804 | 20DL2CZ47A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
805 | 20DL2CZ51A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
806 | 20FL2C41A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
807 | 20FL2C48A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
808 | 20FL2CZ47A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
809 | 20FL2CZ51A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
810 | 20FWJ2C48M | ALIMENTATION D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE PILE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY, CONVERTISSEUR ET APPLICATION DE DÉCOUPEUR | TOSHIBA |
811 | 20FWJ2CZ47M | APPLICATION DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE PILE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
812 | 20GL2C41A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
813 | 20JL2C41 | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
814 | 20JL2C41A | APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED) | TOSHIBA |
815 | 20L6P45 | RECTIFIERMODULE(threephasefullwavebridgeaplications) | TOSHIBA |
816 | 20U6P45 | RECTIFIERMODULE(threephasefullwavebridgeapplications) | TOSHIBA |
817 | 2AS1832F | TRANSISTOR (APPLICATIONS TOUT USAGE D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE) | TOSHIBA |
818 | 2FWJ42M | APPLICATION PORTATIVE DE BATTERIE D'CÉquipement D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
819 | 2FWJ42N | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
820 | 2GLZ47A | REDRESSEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ (APPLICATION D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
821 | 2GUZ47 | DIODE (APPLICATION D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
822 | 2GWJ2C42 | APPLICATION DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE PILE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
823 | 2GWJ42 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
824 | 2GWJ42C | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
825 | 2NH45 | REDRESSEUR RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT (TYPE APPLICATIONSDE COMMUTATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE) | TOSHIBA |
826 | 2NU41 | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
827 | 2SA1012 | APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). | TOSHIBA |
828 | 2SA1013 | COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). RENDEMENT De DÉBATTEMENT, APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De la CLASSE B De la COULEUR TV | TOSHIBA |
829 | 2SA1015 | Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
830 | 2SA1015(L) | Applications d'amplificateur de bruit de type du silicium PNP de transistor basses (processus de PCT) de fréquence sonore d'applications épitaxiales d'amplificateur | TOSHIBA |
831 | 2SA1015L | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE) | TOSHIBA |
832 | 2SA1020 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS DE COMMUTATION DE PUISSANCE. | TOSHIBA |
833 | 2SA1048 | Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
834 | 2SA1048(L) | Applications de fréquence sonore de bruit de type du silicium PNP de transistor basses (processus de PCT) de fréquence sonore d'applications épitaxiales d'amplificateur | TOSHIBA |
835 | 2SA1048L | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE) | TOSHIBA |
836 | 2SA1049 | Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
837 | 2SA1091 | Le silicium PNP de transistor triplent l'affichage de plasma à haute tension diffus d'applications de commande de type (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de Ni | TOSHIBA |
838 | 2SA1093 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
839 | 2SA1093 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
840 | 2SA1095 | Type Épitaxial Du Silicium PNP (Processus de PCT) | TOSHIBA |
841 | 2SA1145 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
842 | 2SA1150 | Applications de basse fréquence épitaxiales d'amplificateur de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
843 | 2SA1160 | APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) D'CApplications ÉPITAXIALES DE STROBOSCOPE | TOSHIBA |
844 | 2SA1162 | Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
845 | 2SA1163 | Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
846 | 2SA1182 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore du silicium PNP de transistor (processus de PCT) basses commutant des applications | TOSHIBA |
847 | 2SA1195 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
848 | 2SA1195 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
849 | 2SA1200 | Le silicium PNP de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de commutation de type (processus de PCT) | TOSHIBA |
850 | 2SA1201 | Applications épitaxiales d'amplificateur de puissance d'applications d'amplificateur de tension de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
851 | 2SA1202 | Applications épitaxiales d'amplificateur de tension d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
852 | 2SA1203 | Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
853 | 2SA1204 | Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
854 | 2SA1213 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
855 | 2SA1217 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
856 | 2SA1217 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
857 | 2SA1225 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
858 | 2SA1241 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
859 | 2SA1242 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
860 | 2SA1244 | Applications courantes élevées épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
861 | 2SA1245 | Applications à haute fréquence d'amplificateur d'amplificateur de type planaire épitaxial du silicium PNP de transistor basses et de bruit de bande des applications VHF~uhf de commutation | TOSHIBA |
862 | 2SA1255 | Le silicium PNP de transistor triplent (processus de PCT) des applications à haute tension diffuses de commutation | TOSHIBA |
863 | 2SA1263 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
864 | 2SA1263 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
865 | 2SA1264 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
866 | 2SA1265 | Applications D'Amplificateur De Puissance | TOSHIBA |
867 | 2SA1293 | Applications Courantes Élevées De Commutation de TYPE du SILICIUM PNP PITAXIAL de TRANSISTOR (PROCESSUS de PCT) | TOSHIBA |
868 | 2SA1296 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
869 | 2SA1297 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
870 | 2SA1298 | Applications de basse fréquence épitaxiales de commutation de puissance d'application d'amplificateur de puissance du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
871 | 2SA1300 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
872 | 2SA1304 | TRANSISTOR (AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE/APPLICATIONS VERTICALES DE RENDEMENT) | TOSHIBA |
873 | 2SA1306 | Série Du Paquet To-220 | TOSHIBA |
874 | 2SA1306B | 1,5 A; 200V; 20W; silicium épitaxiale de type PNP stransistor. Pour des applications d'amplification de puissance, les applications de l'amplificateur d'étage de conducteur | TOSHIBA |
875 | 2SA1312 | Applications épitaxiales d'amplificateur de bruit de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) basses | TOSHIBA |
876 | 2SA1313 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) basses commutant des applications | TOSHIBA |
877 | 2SA1314 | Applications audio de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
878 | 2SA1315 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
879 | 2SA1316 | Type épitaxial du silicium PNP de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur de bas bruit et recommandé pour les premières étapes des amplificateurs principaux de MC | TOSHIBA |
880 | 2SA1320 | Le silicium PNP de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de rendement de chroma de la couleur TV d'applications de commutation de type (processus de PCT) | TOSHIBA |
881 | 2SA1321 | COMMUTATION À HAUTE TENSION DIFFUSE TRIPLE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TV. | TOSHIBA |
882 | 2SA1327A | Applications audio d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
883 | 2SA1328 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
884 | 2SA1328 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
885 | 2SA1329 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
886 | 2SA1329 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
887 | 2SA1349 | TRANSISTOR (APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur DE BAS BRUIT. RECOMMANDÉ POUR LA CASCADE/APPLICATIONS DE CIRCUIT COURANTES DE MIROIR DES PREMIÈRES ÉTAPES DE PRÉ/DE AMPL PRINCIPAL | TOSHIBA |
888 | 2SA1356 | APPLICATION AUDIO ÉPITAXIALE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
889 | 2SA1357 | APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantané | TOSHIBA |
890 | 2SA1358 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
891 | 2SA1359 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À VITESSE RÉDUITE ÉPITAXIAL DE FRÉQUENCE SONORE DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
892 | 2SA1360 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
893 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
894 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
895 | 2SA1362 | Transistor | TOSHIBA |
896 | 2SA1382 | AMPLIFICATEUR de PUISSANCE ÉPITAXIAL de TYPE du SILICIUM PNP de TRANSISTOR (PROCESSUS de PCT), Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
897 | 2SA1384 | Le silicium PNP de transistor triplent l'affichage de plasma À HAUTE TENSION diffus d'applications de commande de type (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de Ni | TOSHIBA |
898 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
899 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
900 | 2SA1408 | COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De RENDEMENT De DÉBATTEMENT ET De CLASSE B De la COULEUR TV | TOSHIBA |
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