Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1 | 24C01 | 2-WireSerialEEPROM | Atmel |
2 | 24C08A | 2-Wire EEPROM Périodique | Atmel |
3 | 24C08N | Deux-a porté EEPROM Périodique | Atmel |
4 | 24C1024 | 1M à 2 fils de la publication périodique EEPROM (131.072 x 8) | Atmel |
5 | 24C128 | 2-WireSerialEEPROMs | Atmel |
6 | 24C16 | 2-WireSerialEEPROM | Atmel |
7 | 24C164 | 2-WireSerialEEPROM | Atmel |
8 | 24C21 | 2-WireSerialEEPROM | Atmel |
9 | 24C256 | 2-WireSerialEEPROMs | Atmel |
10 | 24C512 | 2-wireSerialEEPROM | Atmel |
11 | 24C64 | 2-WireSerialEEPROM | Atmel |
12 | 24LC08 | 3-WireSerialEEPROMs | Atmel |
13 | 27C010 | 1 million de bits 128K X 8 OTP CMOS EPROM | Atmel |
14 | 27C020 | 2-Megabit 256K X 8 OTP EPROM | Atmel |
15 | 27C040 | 4-Megabit 512K X 8 OTP EPROM | Atmel |
16 | 27C080 | 8-Megabit 1M X 8 CMOS effaçable UV EPROM | Atmel |
17 | 27C256 | Mémoires de MOS | Atmel |
18 | 27C256R | 256K 32K X 8 OTP CMOS EPROM | Atmel |
19 | 28C256 | 256K 32K X CMOS paginé par 8 E2PROM | Atmel |
20 | 28C64 | 64K 8K X 8 CMOS E2PROM | Atmel |
21 | 29C010 | mémoire instantanée de 5 volts de 1 million de bits 128K X 8 seulement CMOS | Atmel |
22 | 29C010A | mémoire instantanée de 5 volts de 1 million de bits 128K X 8 seulement CMOS | Atmel |
23 | 29C020 | mémoire instantanée de 5 volts de 2-Megabit 256K X 8 seulement CMOS | Atmel |
24 | 29C040 | 4-Megabit 512K X 8 seulement 256-Byte mémoire instantanée de 5 volts du secteur CMOS | Atmel |
25 | 29C256 | mémoire instantanée de 5 volts de 256K 32K X 8 seulement CMOS | Atmel |
26 | 29C512 | mémoire instantanée de 5 volts de 512K 64K X 8 seulement CMOS | Atmel |
27 | 29C516E | de 16 bits traversez l'unité de détection et de correction d'erreur d'cEdac | Atmel |
28 | 45DB011B | 1-Megabit 2.7-volt Seulement DataFlash Périodique | Atmel |
29 | 45DB041B | 4-megabit 2.5-volt seulement ou 2.7-volt seulement DataFlash | Atmel |
30 | 45DB081B | DONNÉES DE FIABILITÉ D'CInstantané DE DONNÉES D'CAt-45db081b | Atmel |
31 | 49F010 | mémoire instantanée de 5 volts de 1-Megabit 128K X 8 seulement CMOS | Atmel |
32 | 5962-0325001QXC | Rad dur FPGA reprogrammables avec FreeRAM. | Atmel |
33 | 5962-0325001QYC | Rad dur FPGA reprogrammables avec FreeRAM. | Atmel |
34 | 5962-0325001VXC | Rad dur FPGA reprogrammables avec FreeRAM. | Atmel |
35 | 5962-0325001VYC | Rad dur FPGA reprogrammables avec FreeRAM. | Atmel |
36 | 5962-87539013X | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
37 | 5962-8753901LA | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
38 | 5962-87539053X | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
39 | 5962-8753905LA | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
40 | 5962-8863401UX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
41 | 5962-8863401XX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
42 | 5962-8863401YX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
43 | 5962-8863401ZX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
44 | 5962-8863402UX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
45 | 5962-8863402XX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
46 | 5962-8863402YX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
47 | 5962-8863402ZX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 120ns | Atmel |
48 | 5962-8863403UX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
49 | 5962-8863403XX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
50 | 5962-8863403YX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
51 | 5962-8863403ZX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
52 | 5962-8863404UX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
53 | 5962-8863404XX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
54 | 5962-8863404YX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
55 | 5962-8863404ZX | 256 (32K x 8) EEPROM parallèle à haute vitesse, 90ns | Atmel |
56 | 5962-88670013X | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
57 | 5962-8867001LA | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
58 | 5962-88670053X | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
59 | 5962-8867005LA | t (pd): 25ns; t (s): 15ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
60 | 5962-88724013X | t (pd): 25ns; t (s): 18ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
61 | 5962-8872401LA | t (pd): 25ns; t (s): 18ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
62 | 5962-88724043X | t (pd): 20ns; t (s): 17ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
63 | 5962-8872404LA | t (pd): 20ns; t (s): 17ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
64 | 5962-88726083X | Haute vitesse UV effaçable dispositif logique programmable, 83MHz | Atmel |
65 | 5962-8872608LA | Haute vitesse UV effaçable dispositif logique programmable, 83MHz | Atmel |
66 | 5962-88726093X | Haute vitesse UV effaçable dispositif logique programmable, 58MHz | Atmel |
67 | 5962-8872609LA | Haute vitesse UV effaçable dispositif logique programmable, 58MHz | Atmel |
68 | 5962-88726113X | Haute vitesse UV effaçable dispositif logique programmable, 92MHz | Atmel |
69 | 5962-8872611LX | Haute vitesse UV effaçable dispositif logique programmable, 92MHz | Atmel |
70 | 5962-89755013X | t (pd): 25ns; t (s): 18ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
71 | 5962-8975501LA | t (pd): 25ns; t (s): 18ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
72 | 5962-89755043X | t (pd): 20ns; t (s): 17ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
73 | 5962-8975504LA | t (pd): 20ns; t (s): 17ns; t (co): 15 ns; -2,0 À + 7,0 V; Vcc alimentation: 5V + -10%; sortie de court-circuit: 120mA; dose d'effacement UV intégré: 7258W sec / cm2; UV à grande vitesse dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
74 | 5962-89841033X | Haute performance EE PLD | Atmel |
75 | 5962-8984103LA | Haute performance EE PLD | Atmel |
76 | 5962-89841053X | Haute performance EE PLD | Atmel |
77 | 5962-8984105LA | Haute performance EE PLD | Atmel |
78 | 5962-89841063X | Haute performance EE PLD | Atmel |
79 | 5962-8984106LA | Haute performance EE PLD | Atmel |
80 | 5962-89841133X | Haute performance EE PLD | Atmel |
81 | 5962-8984113LA | Haute performance EE PLD | Atmel |
82 | 5962-89841143X | Haute performance EE PLD | Atmel |
83 | 5962-8984114LA | Haute performance EE PLD | Atmel |
84 | 5962-9154502MQA | Dispositif logique programmable à haute densité UV effaçable | Atmel |
85 | 5962-9154502MXX | Dispositif logique programmable à haute densité UV effaçable | Atmel |
86 | 5962-9154502MYX | Dispositif logique programmable à haute densité UV effaçable | Atmel |
87 | 5962-9154503MQA | Dispositif logique programmable à haute densité UV effaçable | Atmel |
88 | 5962-9154503MXX | Dispositif logique programmable à haute densité UV effaçable | Atmel |
89 | 5962-9154503MYX | Dispositif logique programmable à haute densité UV effaçable | Atmel |
90 | 5962-9154504MXX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
91 | 5962-9154504MYX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
92 | 5962-9154505MXX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
93 | 5962-9154505MYX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
94 | 5962-9154506MQA | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
95 | 5962-9154506MXX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
96 | 5962-9154506MYX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
97 | 5962-9154507MQA | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
98 | 5962-9154507MXX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
99 | 5962-9154507MYX | À haut débit à haute densité UV de dispositif logique programmable effaçable | Atmel |
100 | 80C32E | La version tolérante de ROMless de rayonnement du 80C52 choisissent le microcontrôleur de 8 bits de morceau. | Atmel |
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